Egzamin – grupa1 – pierwszy termin– 22 stycznia 2010
Elektronika i Energoelektronika – III semestr - zimowy
Studia dzienne – SPECJALNO
ŚĆ
: Elektrotechnika z Informatyk
ą
Techniczn
ą
Uwaga! Prosz
ę
wybra
ć
do odpowiedzi 4 z 5 pyta
ń
i zaznaczy
ć
je na 1 stronie
*******************************************************************
.
1). Wyja
ś
ni
ć
rol
ę
podstawowych małosygnałowych stopni wzmacniaj
ą
cych tranzystora
bipolarnego: wspólny emiter (WE) i wspólny kolektor (WC) oraz tranzystora MOS: (wspólne
ź
ródło oraz wspólny dren). Dlaczego układy te maj
ą
tak du
Ŝ
e znaczenie praktyczne. Odpowied
ź
nale
Ŝ
y uzasadni
ć
.
═══════════════════════════════════════
2). Zasada działania inwerterów NMOS, inwerterów dynamicznych i inwerterów CMOS. Porównaj
zalety i wady tych technik, ze szczególnym uwzgl
ę
dnieniem techniki układów
komplementarnych CMOS. Konstrukcja bramek logicznych w technice CMOS i NMOS. Bramka
transmisyjna TG w technice CMOS.
═══════════════════════════════════════
3). Poda
ć
ogólne warunki generacji drga
ń
dla układów ze sprz
ęŜ
eniem zwrotnym. Poda
ć
przykłady
realizacji wybranych typów generatorów LC (wykorzystuj
ą
cych zjawisko rezonansu
cz
ę
stotliwo
ś
ciowego).
═══════════════════════════════════════
4). Poda
ć
przykłady rozwi
ą
za
ń
układowych i obja
ś
ni
ć
ich funkcjonowanie:
•
Rejestry cyfrowe
•
Liczniki cyfrowe
═══════════════════════════════════════
5). Wyja
ś
ni
ć
działanie całkuj
ą
cego przetwornika a/c z przetwarzaniem po
ś
rednim, przedstawionego
na rysunku poni
Ŝ
ej. Od jakich parametrów zale
Ŝ
y głównie dokładno
ść
przetwarzania
uzyskiwana w takim przetworniku?
═══════════════════════════════════════
Andrzej Rybarczyk