imi  i nazwisko

 

grupa dzieka ska

 

2 

 

 

Egzamin z Podstaw Energoelektroniki sem.5 / mgr 

2006.02.17 

 

1.  Trójfazowy  mostkowy  prostownik  diodowy  zasila  obci enie  o  charakterze  silnie  indukcyjnym. 

Przyjmuj c,  e  pr d  obci enia  jest  gładki  i  jego  warto   rednia  wynosi  100 A,  obliczy   warto  

skuteczn  pr du pobieranego przez prostownik z jednej fazy jego zasilania. 

 

ωt

i

0

i

D1

i

a

i [A]

0

100

π

2π

 

 

A

82

3

2

100

I

3

2

I

I

)

RMS

(

1

0

)

RMS

(

1

≅

⋅

=

⋅

=

 

 

 

2.  Trójfazowy mostkowy prostownik tyrystorowy zasilany z sieci 220V/380V zasila obci enie RLE o 

danych: R = 10 

Ω, L=10 mH, E = 110 V, przez które płynie ci gły pr d o warto ci  redniej 33,4 A. 

Jaki jest k t zał czania tego prostownika?  

 

V

444

110

10

4

,

33

U

E

R

I

U

R

E

U

I

d

)

AV

(

o

d

d

)

AV

(

o

=

+

⋅

=

+

⋅

=

−

=

 

≅

⋅

⋅

⋅

π

=

α

π

⋅

⋅

⋅

π

=

α

513

444

2

1

380

2

6

210

cos

6

sin

U

2

6

U

cos

d

6

π

≅

α

 

 

 

io 
uo 
E 

82m

 

84m

 

86m

 

88m

 

90m

 

92m

 

94m

 

96m

 

98m

 

0

 

100

 

200

 

300

 

400

 

500

 

 

3.  Wymieni   kryteria,  którymi  nale y  si   kierowa   przy  doborze  L  (warto ci  indukcyjno ci)  cewki  do 

przetwornicy DC/DC beztransformatorowej obni aj co - podwy szaj cej napi cie. 

 

•  zapewnienie zgromadzenia w indukcyjno ci wła ciwej ilo ci energii, czyli by 

f

I

U

2

I

L

0

0

2

max

1

⋅

>

⋅

, 

gdzie f jest cz stotliwo ci  pracy przetwornicy, 

•  unikanie  rezonansu  z  pojemno ci   filtru  wyj ciowego,  czyli 

f

C

L

>>

⋅

,  gdzie  f  jest 

cz stotliwo ci  pracy przetwornicy,  

•  dobór  warto ci  pr du  wył czanego  przez  tranzystor  zgodnie  z  zale no ci  

f

L

E

I

I

max

0

min

1

max

1

γ

⋅

=

−

, gdzie f jest cz stotliwo ci  pracy przetwornicy, 

•  minimalizowanie  L  dla  ograniczenia  rozmiarów  przetwornicy  (a  przy  okazji  kosztu  jej 

wytworzenia). 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4. Przy pomocy mostka tranzystorowego (schemat na rys.1) mo na formowa  napi cie jednobiegunowo 

lub  dwubiegunowo.  Narysowa   przykładowe  przebiegi  napi cia  wyj ciowego  U

0

  w  podanych  obok 

schematu układach współrz dnych. 

E

u

0

T

1

T

2

T

3

T

4

D

1

D

2

D

3

D

4

 

Rys. 1 Schemat jednofazowego mostka tranzystorowego 

ωt

0

π

2π

u

0

modulacja jednobiegunowa

E

-E

 

ωt

0

π

2π

u

0

modulacja dwubiegunowa

-E

E

 

 

 

5. Poda  wzór definiuj cy warto  skuteczn  F

RMS

 przebiegu f(t) takiego,  e f(t) = f(t+T). 

 

[ ]

+

τ

τ

⋅

=

T

t

t

2

RMS

d

)

(

f

T

1

F