Pytania do przedmiotu „Elementy Elektroniczne”
Legenda: 0 – błędna; 1 – poprawna
Pytanie egzaminacyjne nr 1
treść pytania:
Napięcie wyjściowe źródeł napięcia
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
maleje dla źródeł rzeczywistych gdy
maleje rezystancja obciążenia
1
2.
maleje dla źródeł rzeczywistych gdy
rośnie rezystancja obciążenia
0
3.
rośnie dla źródeł rzeczywistych gdy
maleje rezystancja obciążenia
0
Pytanie egzaminacyjne nr 2
treść pytania:
Stratność kondensatora rzeczywistego
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
zależy wprost proporcjonalnie od C i
odwrotnie proporcjonalnie od R
0
2.
nie zależy od częstotliwości
0
3.
zależy odwrotnie proporcjonalnie od C
1
Pytanie egzaminacyjne nr 3
treść pytania:
W układzie różniczkującym, dla
wejściowego napięcia prostokątnego
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
możemy otrzymać na wyjściu sygnał
trójkątny
0
2.
możemy otrzymać na wyjściu sygnał
prostokątny
1
3.
możemy otrzymać na wyjściu napięcie
stałe
0
Pytanie egzaminacyjne nr 4
treść pytania:
O cewce można powiedzieć, że
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
w obwodzie pracującym impulsowo
cewkę można traktować jak zwarcie
0
2.
napięcie na cewce jest proporcjonalne do
szybkości zmian prądu
1
3.
w obwodzie prądu stałego cewka nie
gromadzi energii w polu magnetycznym
0
Pytanie egzaminacyjne nr 5
treść pytania:
Zależność między prądem a napięciem
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
ma zastosowanie tylko dla kondensatora
idealnego
1
2.
ma zastosowanie tylko dla tranzystora
rzeczywistego
0
3.
ma zastosowanie tylko dla napięć stałych
0
Pytanie egzaminacyjne nr 6
treść pytania:
W temperaturze T=0K w półprzewodniku
samoistnym
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
tylko dziury znajdują się w paśmie
przewodnictwa
1 0(Stanki poparty
ziółkiem) 1
2.
tylko elektrony znajdują się w paśmie
walencyjnym
0 1(Stanki poparty
ziółkiem) 1
3.
wszystkie dziury i elektrony znajdują się
w paśmie przewodnictwa
0 0(Stanki poparty
ziółkiem) 0
imho 110 vide st
atystyka Fermiego-Diraca
Pytanie egzaminacyjne nr 7
treść pytania:
W półprzewodniku domieszkowanym
typu p liczba elektronów
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność
odpowiedzi
1.
zależy od temperatury
1
2.
jest równa zero
0
3.
nie zależy od temperatury
0
Pytanie egzaminacyjne nr 8
treść pytania:
Przedstawiony poniżej
ogranicznik napięcia zbudowany z
półprzewodnikowych diod Zenera,
będzie ograniczał na wyjściu napięcie w
granicach
100Ω
U
Z
=3,3V
U
Z
=4,7V
U
we
U
wy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
(-4,7V ; +3,3V)
1
2.
(-3,3V ; +4,7V)
0
3.
(-5,4V ; +5,4V)
0
Pytanie egzaminacyjne nr 9
treść pytania:
Przez idealne złącze p-n, o prądzie
nasycenia 1nA, spolaryzowanym
przewodząco napięciem 26mV w
temperaturze pokojowej (300K) płynie
prąd
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
1,7nA
1
2.
2,72nA
0
3.
17nA
0
Pytanie egzaminacyjne nr 10
treść pytania:
W diodzie p
+
-n spolaryzowanej
przewodząco głównym prądem złącza jest
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
prąd dyfuzji elektronów z obszaru n do p
0
2.
prąd dyfuzji elektronów z obszaru p do n
0
3.
prąd dyfuzji dziur z obszaru p do n
1
Pytanie egzaminacyjne nr 11
treść pytania:
Przez złącze p-n spolaryzowane
zaporowo płyną prądy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
unoszenia elektronów z obszaru p do n
1
2.
unoszenia elektronów z obszaru n do p
0
3.
unoszenia dziur z obszaru p do n
0
Pytanie egzaminacyjne nr 12
treść pytania:
Jakie jest napięcie na diodzie krzemowej
połączonej w kierunku przewodzenia,
szeregowo z opornikiem 1k
i źródłem
napięcia 5V?
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
4,3V
0
2.
5,7V
0
3.
0,7V
1
Pytanie egzaminacyjne nr 13
treść pytania:
Rezystancja dynamiczna diody
prostowniczej w kierunku przewodzenia
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
rośnie wraz ze wzrostem prądu
0
2.
maleje wraz ze wzrostem prądu
1
3.
nie zależy od prądu
0
Pytanie egzaminacyjne nr 14
treść pytania:
Wraz ze wzrostem temperatury złącza
krzemowego
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
napięcie na złączu nie zmienia się o ile
jest ono spolaryzowane stałym prądem
0
2.
prąd rewersyjny maleje dwukrotnie na
każde 10K
0
3.
napięcie maleje o 2mV/K przy stałym
prądzie płynącym przez złącze
1
Pytanie egzaminacyjne nr 15
treść pytania:
Wzrost temperatury powoduje, że
napięcie na złączu p-n spolaryzowanym
przewodząco stałym prądem
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
rośnie
0
2.
nie zmienia się
0
3.
maleje
1
Pytanie egzaminacyjne nr 16
treść pytania:
Lepsze właściwości stabilizacyjne mają
diody
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
lawinowe
0
2.
Zenera
1
3.
właściwości stabilizacyjne nie zależą od
mechanizmu przebicia złącza
0
Pytanie egzaminacyjne nr 17
treść pytania:
Na diodzie stabilizacyjnej na 12 V zmiana
prądu 10 mA wywołuje zmianę 0,1V
napięcia stabilizacyjnego. Rezystancja
dynamiczna diody w tym zakresie wynosi
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
10
1
2.
100
0
3.
0.1
0
Pytanie egzaminacyjne nr 18
treść pytania:
W tranzystorze złączowym
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
transkonduktancja nie zależy od napięcia
polaryzującego bramkę (U
GS
)
0
2.
rezystancja wyjściowa r
ds
w zakresie
nasycenia jest mała
0
3.
dużą rezystancja wejściowa predysponuje
go do budowy wzmacniacza
napięciowego
1
Pytanie egzaminacyjne nr 19
treść pytania:
Tranzystor złączowy pracuje poprawnie,
gdy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
złącze jest spolaryzowane przewodząco
0
2.
złącze jest spolaryzowane zaporowo
1
3.
jego dren jest połączony z punktem o
najwyższym potencjale w układzie
0
Pytanie egzaminacyjne nr 20
treść pytania:
W tranzystorze JFET z kanałem
typu n zmierzono prąd I
D
=16mA dla
napięcia U
GS
=0V, natomiast dla U
GS
=-
2V zanotowano prąd o jedną czwartą
mniejszy. Ile wynosi I
DSS
i U
P
dla tego
tranzystora
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
I
DSS
=8mA, U
P
=-2V
0
2.
I
DSS
=16mA, U
P
=-2V
0
3.
I
DSS
=16mA, U
P
=-4V
1
Pytanie egzaminacyjne nr 21
treść pytania:
W tranzystorze polowym JFET przy
U
GS
=0 prąd drenu pozostanie stały, gdy
U
DS
przekroczy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
U
DD
0
2.
U
P
1
3.
0
0
Pytanie egzaminacyjne nr 22
treść pytania:
Skrót SoC oznacza
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
rzeczywisty kondensator
0
2.
technologię wytwarzania samoistnego
krzemu
0
3.
mikrosystemy elektroniczne na krzemie
1
Pytanie egzaminacyjne nr 23
treść pytania:
Przy założeniu takiego samego punktu
pracy tranzystora bipolarnego i MOS, tzn
I
C
=I
D
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
transkonduktancja tranzystora MOS jest
większa od transkonduktancji tranzystora
bipolarnego
1
2.
transkonduktancja tranzystora MOS jest
mniejsza od transkonduktancji tranzystora
bipolarnego
0
3.
trans konduktancje obu tranzystorów są
takie same
0
Pytanie egzaminacyjne nr 24
treść pytania:
Skrót MEMS oznacza
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
tranzystor MOS z izolowaną bramką
0
2.
kondensator MOS
0
3.
układy mikromechaniczne w strukturach
scalonych
1
Pytanie egzaminacyjne nr 25
treść pytania:
W kondensatorze MOS z
półprzewodnikiem typu n
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
ujemne napięcie powoduje zubożenie
obszaru pod bramką
1
2.
w zakresie silnej inwersji szerokość
warstwy zubożonej nadal zwiększa się
0
3.
dodatnie napięcie na bramce powoduje
akumulację dziur pod bramką
0
Pytanie egzaminacyjne nr 26
treść pytania:
W kondensatorze MOS z
półprzewodnikiem typu p
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
dodatnie napięcie na bramce powoduje
akumulację dziur pod bramką
0
2.
w stanie zubożenia ładunek zgromadzony
pod bramką nie zależy od poziomu
domieszkowania półprzewodnika p
1
3.
duże ujemne napięcie na bramce
powoduje inwersję pod bramką
0
Pytanie egzaminacyjne nr 27
treść pytania:
W tranzystorze MOSFET prąd drenu I
D
zależy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
liniowo od napięcia U
GS
w zakresie
nasycenia
0
2.
od kwadratu napięcia U
DS
w zakresie
pracy liniowej
1
3.
od pierwiastka napięcia U
GS
w zakresie
pracy liniowej
0
Pytanie egzaminacyjne nr 28
treść pytania:
Prąd drenu I
D
tranzystora MOSFET z
kanałem p zależy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
liniowo od napięcia U
GS
w zakresie pracy
liniowej
1
2.
od kwadratu napięcia U
DS
w zakresie
nasycenia
0
3.
liniowo od napięcia U
DS
w zakresie pracy
liniowej
0
Pytanie egzaminacyjne nr 29
treść pytania:
Na poniższym rysunku przedstawiono
charakterystyki
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
przejściowe tranzystora MOSFET typu n
0
2.
przejściowe tranzystora MOSFET typu p
1
3.
wyjściowe tranzystora MOSFET typu p
0
Pytanie egzaminacyjne nr 30
treść pytania:
Ile wynosi transkonduktancja tranzystora
bipolarnego pracującego w temp.
pokojowej (ok. 300K) w punkcie pracy
U
CE
= 5V i I
C
= 10mA?
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
0,04S
0
2.
400mS
1
3.
20mS
0
Pytanie egzaminacyjne nr 31
treść pytania:
Czy następujące zdania są prawdziwe:
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
przepływ prądu bramki włącza tyrystor, a
zanik prądu bramki wyłącza
0
2.
warystor to nieliniowy rezystor o silnej
zależności rezystancji od temperatury
0
3.
triak to dwukierunkowy tyrystor
1
Pytanie egzaminacyjne nr 32
treść pytania:
Na poniższym rysunku przedstawiono
bipolarny tranzystor
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
p-n-p w układzie wspólnej bazy pracujący
w odcięciu
0
2.
n-p-n w układzie wspólnej bazy pracujący
w odcięciu
0
3.
p-n-p w układzie wspólnej bazy pracujący
w nasyceniu
1(ziółko)
Pytanie egzaminacyjne nr 33
treść pytania:
W tranzystorze bipolarnym
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
dla układu WB częstotliwość graniczna
jest
-razy większa niż dla WE
1
2.
w układzie WE częstotliwość graniczna
zależny tylko od pojemności C
b'e
0
3.
dla układu WE napięcie Early’ego nie ma
wpływu na konduktancję wyjściową
0
Pytanie egzaminacyjne nr 34
treść pytania:
Tranzystor bipolarny npn pracuje w stanie
aktywnym jeżeli
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym
1
2.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia
0
3.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym
0
Pytanie egzaminacyjne nr 35
treść pytania:
Dla tranzystora bipolarnego npn w
nasyceniu, dalsze zwiększanie prądu bazy
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
powoduje wzrost prądu kolektora
0
2.
nie wpłynie na prąd kolektora
1
3.
powoduje spadek prądu kolektora
0
Pytanie egzaminacyjne nr 36
treść pytania:
Jeżeli w tranzystorze bipolarnym pnp
I
C
jest 50 razy większy niż I
B
, to
współczynnik β wynosi
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
100
0
2.
10
0
3.
50
1
Pytanie egzaminacyjne nr 37
treść pytania:
W tranzystorze bipolarnym npn prąd
emitera jest zawsze
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
mniejszy niż prąd bazy
0
2.
mniejszy niż prąd kolektora
0
3.
większy niż prąd kolektora
1
Pytanie egzaminacyjne nr 38
treść pytania:
Tranzystor bipolarny pnp pracuje w stanie
nasycenia jeżeli
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym
0
2.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia
1
3.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
0
jest w kierunku przewodzenia
Pytanie egzaminacyjne nr 39
treść pytania:
Właściwe napięcie na przepustowo
spolaryzowanym złączu EB krzemowego
tranzystora bipolarnego wynosi
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
0,3V
0
2.
0,7V
1
3.
1,7V
0
Pytanie egzaminacyjne nr 40
treść pytania:
Tranzystor bipolarny npn pracuje w stanie
odcięcia jeżeli
numer odpowiedzi
treść odpowiedzi
poprawność odpowiedzi
1.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku zaporowym
1
2.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
przewodzenia, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia
0
3.
złącze BE spolaryzowane jest w kierunku
zaporowym, złącze BC spolaryzowane
jest w kierunku przewodzenia
0
Literatura
1. wykład: http://www.scalak.elektro.agh.edu.pl/?q=pl/node/464
2. Jan Koprowski: Podstawowe przyrządy półprzewodnikowe. Wydawnictwa AGH. 2009
3. Wiesław Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT. 1978