Częstotliwości graniczne tranzystora

Wzrost 

częstotliwości 

sygnału 

zmiennego 

powoduje 

zmiany

małosygnałowych parametrów tranzystora.

 Współczynnik wzmocnienia prądowego przyjmuje wartość zespoloną.

Ze  wzrostem  częstotliwości,  przy  określonej  amplitudzie  prądu

wejściowego,  maleje  amplituda  prądu  wyjściowego  w  stosunku  do  swojej
wartości przy małej częstotliwości.

Występuje równieŜ opóźnienie zmian prądu wyjściowego względem zmian

prądu wejściowego.

Reasumując:  sygnał  wyjściowy  jest  zmniejszony  i  opóźniony  w  stosunku

do sygnału  wejściowego.  Przyczynami  tych  zjawisk  są:  konieczność  ładowania
pojemności złączowych (złącz E-B i C-B) w określonym czasie oraz skończony
czas  przelotu  nośników  przez  obszar  bazy.  Zmiany  napięcia  na  złączu  E-B
powodują zmiany rozkładów koncentracji nośników mniejszościowych w bazie.
Przy  wzroście  częstotliwości  „rozkłady  koncentracji  nośników  w  bazie  nie
nadąŜają za zmianami napięć” na złączu emiterowym.

f

α

 – jest to częstotliwość, przy której moduł zwarciowego współczynnika

wzmocnienia prądowego w układzie OB maleje o 3 dB.

f

f

α

0



h

21b



0,707 h

21b0

 Przebieg modułu współczynnika wzmocnienia prądowego

tranzystora w układzie OB  w funkcji częstotliwości

(skala logarytmiczna)

             h

21b0

 – wzmocnienie prądowe dla małych częstotliwości f 

≈

 0.