background image

P

OLITECHNIKA   WI TOKRZYSKA

 

W  

K

IELCACH

 

 

W

YDZIAŁ  

E

LEKTROTECHNIKI

,

  

A

UTOMATYKI  I  

I

NFORMATYKI

 

 

K

ATEDRA 

E

LEKTRONIKI I 

S

YSTEMÓW 

I

NTELIGENTNYCH

 

 

 

 

L

ABORATORIUM  

P

ODSTAW  

E

LEKTRONIKI

 

 

 

 

I

NSTRUKCJA  

L

ABORATORYJNA

 

 

 

 

WICZENIE  NR  

11:

  

 

 

B

ADANIE WTÓRNIKÓW

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K

IELCE  

2006 

background image

- 2 - 

1.  Wst p teoretyczny 

 
Wtórnikiem nazywamy wzmacniacz o wzmocnieniu napi ciowym bliskim jedno ci. Wtórnik mo na 

skonstruowa   na  bazie  tranzystora  bipolarnego,  unipolarnego  lub  przy  wykorzystaniu  wzmacniacza 

operacyjnego. Podstawow  zalet  wtórników jest ich du a rezystancja wej ciowa oraz mała rezystancja 

wyj ciowa, przez co znajduj  szerokie zastosowanie w ró nego rodzaju układach. Wtórnik tak jak ka dy 

wzmacniacz mo na scharakteryzowa  wyznaczaj c jego charakterystyk  amplitudow  i fazow . 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 1.  Przykładowe charakterystyki wtórnika a) amplitudowa, b) fazowa 

 

1.1.  Wtórnik emiterowy 

 
Układ tranzystora bipolarnego o wspólnym kolektorze 

WC nazywany jest wtórnikiem emiterowym  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 2.  Tranzystor bipolarny w układzie 

WC

f

d

 

[Hz] 

 

K

U

 

[dB]]

3 dB 

K

Umax 

 

f

d

f

g

 [

°] 

 

 

[Hz] 

 

0

°

 

45

°

 

90

°

 

-90

°

 

-45

°

 

 

f

g

100 

 

1k 

 

10k 

 

100k 

 

1M 

 

100 

 

1k 

 

10k 

 

100k 

 

1M 

 

T

R

E

 

+E 

U

we 

U

wy 

background image

- 3 - 

Napi cie  wej ciowe  jest  doprowadzane  mi dzy  baz   a  emiter,  wskutek  czego  zmienia  si   pr d 

kolektora  I

C

,  a  wi c  i  pr d  emitera  I

E

  tranzystora.  W  wyniku  tego  zmianie  ulega  spadek  napi cia  na 

rezystorze R

E

 b d cy sygnałem wej ciowym. Z racji  e napi cie U

BE

 baza – emiter tranzystora zmienia 

si   tylko  nieznacznie  przy  zmianach  pr du  kolektora,  wiec  napi cie  wyj ciowe  jest  prawie  dokładnie 
równe napi ciu wej ciowemu. 

WE

WY

R

U

U

U

E

=

. Wynika z tego,  e wzmocnienie napi ciowe układu 

jest w przybli eniu równe jedno ci: 

1

=

WE

WY

u

U

U

k

 a potencjał emitera tranzystora nad a za potencjałem 

bazy (st d nazwa układu – wtórnik emiterowy). 

 
Cechy charakterystyczne wtórników rzeczywistych z tranzystorem bipolarnym: 

• 

w zakresie małych cz stotliwo ci przy obci eniu rezystancyjnym układ nie odwraca fazy sygnału 

wej ciowego, 

• 

du a  rezystancja  wej ciowa  rz du  kilkudziesi ciu  lub  kilkuset  kiloomów  mo e  by   znacznie 

zmniejszana przez bocznikuj ce działanie rezystorów polaryzuj cych baz , 

• 

mała rezystancja wyj ciowa rz du kilkudziesi ciu omów, 

• 

wzmocnienie napi ciowe bliskie jedno ci 

1

U

k

, poniewa  

WY

WE

U

U

 (st d nazwa wtórnik), 

• 

wzmocnienie pr dowe rz du jak w układzie 

WE

• 

układ  transformuje  rezystancj   z  obwodu  emitera  do  obwodu  bazy  jako  rezystancj     razy 

wi ksz ,  natomiast  rezystancj   z  obwodu  bazy  przenosi  do  obwodu  emitera  jako  rezystancj    

razy mniejsz . Taki układ cz sto nazywa si  transformatorem rezystancji

Układ o wspólnym kolektorze 

WC ze wzgl du na wła ciwo ci rezystancji wej ciowej i wyj ciowej 

stosuje si  jako układ dopasowuj cy lub separuj cy. 

Analiz  wtórnika emiterowego dokonuje si  z wykorzystaniem elementów macierzy hybrydowej 

H

c

 

(charakteryzuj cej  układ 

WC).  Poszczególne  elementy  macierzy  H

c

  mo emy  otrzyma   w  oparciu  o 

parametry 

H

e

 układu 

WE (obliczone podczas  wiczenia dotycz cego badania tranzystorów bipolarnych) 

posługuj c si  nast puj cymi wzorami: 

 

h

11c

 = h

11e

 

 

h

12c

 = 

1 - h

12e

 

 

h

21c

 = - 

(1 + h

21e

) 

 

h

22c

 = h

22e

 

Impedancja wej ciowa tranzystora poł czonego w układzie 

WC (rys. 2) wyra a si  wzorem: 

 

Z

we

   h

11e 

+ (1 + h

21e

R

E

 

Przy  rednich warto ciach parametrów macierzy 

H

e

 oraz przy zało eniu,  e warto  opornika R

E

 jest 

rz du kilku kiloomów, obliczona w ten sposób warto  Z

we

 wynosi w przybli eniu kilkaset kiloomów. 

Projektowanie  wtórnika  z  tranzystorem  bipolarnym  w  układzie  wspólnego  kolektora  determinuje 

prawidłow  prac  tranzystora poprzez odpowiedni układ polaryzacji bazy. Warto zauwa y ,  e rezystory 

wchodz ce w skład układu polaryzacji powoduj  obni enie impedancji wej ciowej całego wzmacniacza. 

Fakt  ten  uwidacznia  si   w  potencjometrycznych  układach  polaryzacji.  Cz ciowej  eliminacji  tego 

zjawiska słu  specjalne rozwi zania konstrukcyjne układów (specyficzne dla wtórników). 

Układy polaryzacji wtórnika emiterowego przedstawia rys. 3. 

background image

- 4 - 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 3.  Układ polaryzacji wtórnika emiterowego: a) ze stałym pr dem bazy, b) potencjometryczny, 

c) ze zwi kszon  rezystancj  wej ciow , d) typu „bootstrap” 

 
Ka dy  z  układów  polaryzacji  wtórnika  emiterowego  cechuje  wzmocnienie  napi ciowe  bliskie 

jedno ci  oraz  porównywalna  rezystancja  wyj ciowa.  Układy  te  ró ni   si   impedancj   wej ciow  

(impedancj   wej cia  wzmacniacza  Z

we

).  Sposób  obliczenia  impedancji  wej ciowej  dla  omawianych 

układów przedstawia poni sza tabela: 

 

Układ polaryzacji: 

Zale no  opisuj ca Z

we

ze stałym pr dem bazy 

B

E

e

e

we

R

R

h

h

Z

)

)

1

(

(

21

11

+

+

=

 

potencjometryczny 

2

1

2

1

21

11

)

)

1

(

(

R

R

R

R

R

h

h

Z

E

e

e

we

+

+

+

=

 

ze zwi kszon  rezystancj  wej ciow  

+

+

+

+

=

2

1

2

1

3

21

11

)

)

1

(

(

R

R

R

R

R

R

h

h

Z

E

e

e

we

 

typu „bootstrap” 

+

+

+

2

1

2

1

21

11

)

1

(

R

R

R

R

R

h

h

Z

E

e

e

we

 

T

R

E

 

+E 

U

we 

U

wy 

R

B

 

C

 

T

R

E

 

+E 

U

we 

U

wy 

R

1

 

C

 

R

2

 

R

E

 

+E 

U

we 

U

wy 

R

1

 

C

 

R

2

 

R

3

R

E

 

+E 

U

we 

U

wy 

R

1

 

C

 

R

2

 

R

3

C

d) 

c) 

b) 

a) 

Z

we 

background image

- 5 - 

 

1.2.  Wtórnik  ródłowy 

 
Układ  tranzystora  polowego  o  wspólnym  ródle 

WD  nazywany  jest  wtórnikiem  ródłowym. 

Tranzystor  polowy  w  układzie  wspólnego  ródła  ma  wysok   rezystancj   wej ciow .  Warto   Z

we

 

determinuj  rezystory polaryzuj ce bramk . Wtórniki z tranzystorami polowymi przedstawia rys. 4. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 4.   Wtórniki  ródłowe a) z tranzystorem polowym zł czowym. b) tranzystorem polowym MOS 

 
Istniej   równie   wtórniki  ródłowe  zbli one  budow   do  układów  przedstawionych  na  rys.  3c.  i  

rys. 3d. (zmniejszanie bocznikuj cego wpływu rezystorów w obwodzie bazy na rezystancj  wej ciow ). 

 

1.3.  Wtórnik napi ciowy 

 
Wtórnik  otrzymany  przez  odł czenie  rezystora  R

1

  w  układzie  wzmacniacza  nieodwracaj cego 

nazywany  jest  wtórnikiem  napi ciowym.  Wzór  na  wzmocnienie  napi ciowe  wzmacniacza 

nieodwracaj cego ma posta : 

1

2

1

R

R

k

u

+

=

 Odł czenie R

1

 (R

1

    ) eliminuje z przedstawionego wzoru 

ułamek 

1

2

R

R

  (mianownik  d y  do  niesko czono ci,  zatem  wyra enie  d y  do  zera).  Ostatecznie 

wzmocnienie  napi ciowe  omawianego  układu  b dzie  równe  jedno ci.  Wtórnik  ze  wzmacniaczem 

operacyjnym w najprostszej wersji przedstawia rys. 5. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 5.  Wtórnik ze wzmacniaczem operacyjnym. 

 
Układ  przedstawiony  na  rys.  5  najlepiej  realizuje  zało enia  idealnego  wtórnika  w  porównaniu  z 

opisywanym wcze niej układami (wzmocnienie napi ciowe równe 1V/V). 

R

S

 

+E

U

we 

U

wy 

R

G

 

C

 

R

S

 

-E 

U

we 

U

wy 

R

1

 

C

 

R

2

 

b

a) 

Z

we 

U

we 

U

wy 

background image

- 6 - 

Wtórnik  napi ciowy  posiada  parametry  okre laj ce  przydatno   wzmacniacza  operacyjnego  w 

układach  impulsowych.  S   to:  odpowied   impulsowa,  czas  narastania,  przerzut  oraz  szybko   zmian 

napi cia wyj ciowego. Parametry te mo na bada  laboratoryjnie (rys. 6.). 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 6.   Układ do badania odpowiedzi impulsowej 

 
W układzie z rys. 6. na wej cie wtórnika podawany jest przez generator sygnał prostok tny o małej 

amplitudzie  (10

÷

50  mV)  i  specjalnie  dobranej  cz stotliwo ci.  Dobór  cz stotliwo ci  odbywa  si  

do wiadczalnie tak, aby na ekranie oscyloskopu otrzyma  odpowied  na skok jednostkowy. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 7.  Odpowied  skokowa wtórnika a) sygnał wej ciowy  b) sygnał wyj ciowy. 

U

wy 

kanał 

A 

kanał 

B

Oscyloskop 

U

we 

 

[ s] 

 

U

we

 

[mV]

]

5

 

10

 

15

 

20

 

 

[ s] 

 

U

wy

[mV]

]

5

 

10

 

15

 

20

 

1

 

 

2

 

 

3

 

 

4

 

 

5

 

 

a

)

 

b) 

6

 

 

7

 

 

1

 

 

2

 

 

3

 

 

4

 

 

5

 

 

6

 

 

7

 

 

Przesterowanie  U 

Czas narastania t

Warto  ustalona 

U

wyMAX

U

wyUST

t

t

background image

- 7 - 

Kształt  odpowiedzi  wzmacniacza  pozwala  oszacowa   czas  narastania  t

r

=t

2

-t

1

.  Jest  to  czas,  który 

upływa  mi dzy  momentami,  kiedy  napi cie  wyj ciowe  osi ga  warto ci  10%  oraz  90%  liczonych  od 

warto ci ustalonej. Mo e si  zdarzy ,  e czoło impulsu zawiera przesterowanie  U = U

wyMAX

  - U

wyUST

 

przekracza  warto   ustalon .  W  takim  wypadku  mo na  oszacowa   w  procentach  ró nic   mi dzy 

przesterowaniem a warto ci  ustalon  tzw. przerzut 

%

100

=

wyUST

wyUST

wyMAX

U

U

U

U

δ

 

Maksymaln   szybko   zmian  napi cia  na  wyj ciu  wzmacniacza  operacyjnego  (pracuj cego  w 

układzie wtórnika napi ciowego) przy du ym sygnale wej ciowym o prostok tnym kształcie nazywamy 

szybko ci   zmian  napi cia  wyj ciowego  (oznaczenia:  SR).  Na  podstawie  tej  definicji  mo emy  zapisa  

wzór 

t

U

SR

wy

=

 

Typowy  przebieg  zale no ci  U

wy

(t)  przedstawia  wykres  na  rys.  8.  (przy  sygnale  wej ciowym  o 

amplitudzie ±5V).  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 8. Zale no  U

wy

(t) dla du ego sygnału wej ciowego 

 
Wykres  został  wykonany  dla  wzmacniacza  µ741.  Na  jego  podstawie  mo emy  stwierdzi ,  e 

nachylenia zboczy przedniego i tylnego s  zbli one - wynosz  ok. 0,5V/µs. 

 

[ s] 

 

U

we

 

[mV]

]

-2,5

 

0

 

2,5

 

5

 

0

 

 

10

 

 

20

 

 

30

 

 

40

 

 

a) 

50

 

 

60

 

 

-5

 

 

[ s] 

 

U

wy

[V]]

-2,5

 

0

 

2,5

 

5

 

0

 

 

10

 

 

20

 

 

30

 

 

40

 

 

b) 

50

 

 

60

 

 

-5

 

U

wy 

background image

- 8 - 

2.  Przebieg  wiczenia 

 

2.1.  Pomiar charakterystyk wtórnika na tranzystorze bipolarnym 

Schemat pomiarowy 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 9.  Układ pomiarowy do badania wtórnika emiterowego. 

Sposób przeprowadzenia pomiarów 

• 

Poł czy  układ pomiarowy z rys. 9.: C

1

 = 330nF, C

2

 = 330nF, R

B

 = 220k , R

E

 = 1k , R

0

 = 1k , 

E = 15V 

• 

Ustawi   na  generatorze  przebieg  sinusoidalny  o  cz stotliwo ci  f  =  10kHz  i  amplitudzie  1V. 

Przerysowa   sygnały  wej ciowy  i  wyj ciowy  zwracaj c  uwag   na  amplitud   oraz  poło enie  w 

czasie obu przebiegów.  

• 

Wykona  pomiary charakterystyki amplitudowej wtórnika. Wyniki umie ci  w tabeli 1.  

Tabela pomiarowa 
Tabela 1. Pomiar charakterystyki amplitudowej wtórnika emiterowego 

)

f

K

K

u

u

=

 

U

we

 = 1V 

Lp 

f [Hz] 

U

wy

[V] 

=

V

V

U

U

k

we

wy

u

 

[ ]

dB

k

K

u

u

)

log(

20

=

1. 

20 

 

 

 

2. 

50 

 

 

 

3. 

100 

 

 

 

4. 

200 

 

 

 

5. 

500 

 

 

 

6. 

1k 

 

 

 

7. 

2k 

 

 

 

8. 

5k 

 

 

 

9. 

10k 

 

 

 

10. 

20k 

 

 

 

11. 

50k 

 

 

 

12. 

100k 

 

 

 

13. 

200k 

 

 

 

14. 

500k 

 

 

 

15. 

1M 

 

 

 

R

E

 

C

2

 

R

B

 

C

1

 

R

o

 

E

 

kanał 

A 

kanał 

B

Oscyloskop 

background image

- 9 - 

2.2.  Pomiar charakterystyk wtórnika na wzmacniaczu operacyjnym 

 
Schemat pomiarowy 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rys. 10.  Schemat pomiarowy do badania wtórnika napi ciowego ze wzmacniaczem operacyjnym. 

Sposób przeprowadzenia pomiarów 

• 

Poł czy  układ pomiarowy z rys. 10.  R=2,2k

Ω, C=100pF, E=15V 

• 

Wykona  pomiary charakterystyki amplitudowej wtórnika na wzmacniaczu operacyjnym. Wyniki 

umie ci  w tabeli 1.  

• 

Ustawi   na  generatorze  przebieg  prostok tny  o  cz stotliwo ci  1kHz  i  amplitudzie  20mV. 

Narysowa   przebiegi  na  wej ciu  i  wyj ciu  układu  Okre li   czas  narastania  i  przesterowanie 

układu. 

• 

Wył czy  z układu pojemno  C oraz doł czy  na wej cie przebieg prostok tny o cz stotliwo ci 

1kHz  i  amplitudzie  5V  (wyj cie  nieregulowane  generatora)  Zaobserwowa   kształt  napi cia 

wyj ciowego wtórnika. Wyznaczy  szybko ci  zmian napi cia wyj ciowego SR. 

 

3.  Opracowanie wyników pomiaru 

 
W sprawozdaniu zamie ci : 

1.

  Schematy pomiarowy realizowane na  wiczeniu. 

2.

  Tabele pomiarowe z wynikami. 

3.

  Przebiegi sygnału wej ciowego i wyj ciowego dla cz stotliwo ci 10kHz. Nale y zaznaczy  amplitud  

sygnału oraz przesuni cie fazowe pomi dzy sygnałem wyj ciowym a wej ciowym. 

4.

  Charakterystyki  amplitudowe  (wzmocnienie  w  skali  dB)  wtórników  sporz dzone  na  podstawie 

przeprowadzonych  pomiarów  (cz stotliwo   f  w  skali  logarytmicznej).  Nale y  zaznaczy  

cz stotliwo ci graniczne, oraz szeroko  pasma przenoszenia. 

5.

  Odpowied   wtórnika  napi ciowego  na  wzmacniaczu  operacyjnym  na  przebieg  prostok tny  o  malej 

amplitudzie. Okre li  czas narastania t

r

 i przesterowanie układu. 

6.

  Odpowied   wtórnika  napi ciowego  na  wzmacniaczu  operacyjnym  na  przebieg  prostok tny  o  du ej 

amplitudzie. Wyznaczy  szybko  zmian napi cia wyj ciowego współczynnik SR

7.

  Wnioski. 

kanał 

A 

kanał 

B

Oscyloskop 

-E 

E

E

 

+E