Wydział Elektroniki 
Mikrosystemów i Fotoniki 
Politechniki Wrocławskiej

STUDIA DZIENNE

Ćwiczenie nr 5

Badanie właściwości układów cyfrowych TTL I CMOS

1. Cel ćwiczenia

Zapoznanie się z właściwościami bramek logicznych TTL i CMOS, badanie charakterystyk 
przejściowych i czasów propagacji układów.

2. Zagadnienia do przygotowania:

•

ogólna budowa i zasada działania bramki NAND TTL

•

budowa i zasada działania inwertera i bramki NOR CMOS

•

podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie zasilania, stany logiczne, cha-
rakterystyka przejściowa, moc tracona, czasy propagacji) układów TTL i CMOS

•

porównanie układów cyfrowych wytwarzanych w technologii TTL i CMOS

L

ITERATURA

•

J. Baranowski, B.Kalinowski, Z.Nosal, Układy elektroniczne cz.III, WNT 1994,

•

U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT 1996,

•

M. Rusek, J. Pasierbiński, Elementy   i   układy   elektroniczne   w   pytaniach   i   odpowie-
dziach,
WNT 1997

Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń 

elektrycznych

.

LABORATORIUM

PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

3. WIADOMOŚCI WSTĘPNE

SCALONE UKŁADY CYFROWE - CHARAKTERYSTYKA OGÓLNA

Monolityczne krzemowe układy cyfrowe są wytwarzane w różnych technologiach i stopniach 

scalenia. W ramach technologii bipolarnej produkowane są układy TTL i ECL, a w technolo-

gii MOS rodziny układów NMOS i CMOS. Układy małej skali integracji, takie jak bramki 

czy przerzutniki, są obecnie wytwarzane w technologii „zaawansowanej” (Advanced) TTL 

oraz CMOS. Natomiast technologie ECL, NMOS, a także CMOS stosowane są w układach 

wielkiej (LSI) i bardzo wielkiej (VLSI) skali integracji. W układach VLSI stosuje się także łą-

czenie technologii, np. ECL i CMOS czyli technologię BiCMOS. 

Układy cyfrowe, niezależnie od technologii wykonania, skali integracji, czy zastosowania re-

alizują funkcje logiczne opisane algebrą Boole’a. W stanie ustalonym wejścia i wyjścia ukła-

dów mogą przyjmować stan 0 lub 1, co odpowiada określonym wartościom napięcia, ustalo-

nym dla danej rodziny układów. Dla zwykle stosowanej logiki dodatniej stan 0 oznacza stan 

niski (low) – napięcie U

L

, a stan wysoki (high) – napięcie U

H

. Podstawowe układy cyfrowe to 

bramki logiczne NAND, AND, NOR, OR, NOT (inwerter). Najbardziej uniwersalne są bram-

ki NAND, gdyż umożliwiają realizację pozostałych funkcji logicznych poprzez kombinację 

połączeń wielu identycznych bramek.

PODSTAWOWE PARAMETRY UKŁADÓW CYFROWYCH

Zasadnicze parametry układów cyfrowych to:

•

Czas propagacji 

•

Moc strat

•

Współczynnik dobroci

•

Marginesy szumowe 

•

Obciążalność

•

Napięcie zasilania

•

Zakresy napięć stanów logicznych 0 i 1

Wartości tych parametrów są z reguły różne dla różnych rodzin układów i dlatego łączenie 

odmiennych grup wymaga stosowania układów pośrednich zapewniających „zgodność łącze-

niową”.

2

C

ZAS

 

PROPAGACJI

Niezależnie od rodzaju technologii (rodziny układów), np. TTL czy CMOS, poszczególne 

tranzystory w układzie cyfrowym pracują dwustanowo. Albo są w stanie załączenia, albo w 

stanie wyłączenia czyli  odcięcia (wyjątek stanowi rodzina układów bipolarnych  ECL). W 

związku z pewnym czasem potrzebnym na zmianę punktu pracy, w momencie przełączania 

występuje opóźnienie pomiędzy sygnałem na wyjściu i wejściu danego układu (np. bramki). 

Z punktu widzenia układu, czas ten potrzebny jest na przeładowanie pojemności złączowych i 

dyfuzyjnych w tranzystorach bipolarnych (pojemności bramka-kanał w tranzystorach MOS-

FET), a także pojemności pasożytniczych (ścieżek połączeń, doprowadzeń) i pojemności ob-

ciążającej  układ. Zazwyczaj  do wyjścia układu podłączonych  jest kilka wejść następnych 

układów. Opóźnienie sygnału, zwane czasem propagacji, τ

p

 jest podstawowym parametrem 

charakteryzującym  daną  rodzinę  układów  i  wskazuje  na  ograniczenie  szybkości   działania 

(częstotliwości   pracy)   układu.   Typowe   wartości   czasów   propagacji   są   rzędu   nanosekund 

(wolne układy: rząd 100 ns, szybkie: rząd k•0,1 ns)

Sposób pomiaru czasu propagacji za pomocą obserwacji sygnałów wyjściowego  U

O

  i wej-

ściowego U

I

 bramki pokazano na rys.1. 

Odstęp czasowy na zboczach sygnałów mierzy się dla określonej wartości amplitudy napięcia 

wejściowego (tzw. napięcia przełączania, U

T

) i wyznacza średnią arytmetyczną 

τ

p

 = (τ

p LH

 + τ

p HL

)/2

 

U

I

 

U

0

 

τ

pHL 

τ

pLH 

U

T

 

U

T

 

czas 

czas 

Rys. 1. Definicja czasów propagacji sygnału.

Dla układów TTL wejściowe napięcie przełączania to 1,4 V, zaś dla CMOS jest to ½ U

CC.

W praktyce, pomiaru dokonujemy nakładając przebiegi „na siebie” i mierząc czas opóźnienia 

w połowie amplitudy sygnałów wejściowego i wyjściowego. Oczywistym jest, że pomiary 

powinny być wykonane w ustalonych warunkach, przede wszystkim dla ustalonej pojemności 

obciążenia, C

obc

 układu.

3

M

OC

 

STRAT

Moc strat jest bardzo istotnym parametrem ograniczającym możliwości zasilania układu z ba-

terii (sprzęt mobilny) oraz stopień scalania układu ze względu na rosnącą gęstość mocy roz-

praszanej i wzrost temperatury układu.

Generalnie, moc strat wyraża się zależnością:

P=U

CC

•I

CC

 

gdzie: U

CC

 – napięcie zasilacza,  I

CC

 – prąd pobierany z zasilacza

Całkowita moc strat składa się z mocy statycznej P

stat

, czyli mocy traconej w stanie ustalonym 

1 i 0 oraz mocy dynamicznej P

dyn

. Ta ostatnia zależy od szybkości przełączania układu (czę-

stotliwości zegara w układach sekwencyjnych). Typowe wartości mocy strat przeliczonej na 

jedną   bramkę  to   rząd  miliwatów   (od  mikrowatów  P

stat

  w  układach   CMOS   do  10  mW  ÷ 

100 mW w układach TTL i ECL). Moc dynamiczna zależy głównie od pojemności obciążają-

cej układ, która jest przeładowywana prądem I

cc

 z zasilacza. Rośnie ona liniowo z częstotli-

wością przełączania f

z

:

P

dyn

 = U

CC

2 

C

obc

 f

z 

ponieważ  I

CC

  = U

CC

 

C

obc

 f

z

Pomiędzy czasem propagacji i mocą strat istnieje następująca współzależność:

gdy  τ

p

 

↓

     to    P

↑

dlatego dla oceny porównawczej układów różnych  rodzin stosuje się  współczynnik jakości 
Q = τ

p

•P. Oczywiste, że układ jest lepszy, gdy charakteryzuje się mniejszym współczynnikiem Q.

M

ARGINESY

 

ZAKŁÓCEŃ

Marginesy zakłóceń (zwane też marginesami szumowymi) to różnice wartości napięć na wej-

ściu i wyjściu dla jednakowego stanu 0 oraz 1. Określają maksymalną amplitudę sygnału za-

kłócającego, który jeszcze nie spowoduje niepożądanego przełączenie układu:

M

Lmin

 = | U

ILmax 

– U

OL max 

|  

oraz 

M

Hmin

 = | U

IHmax 

– U

OH min 

|

Interpretacja marginesów zakłóceń przedstawiona jest na rys. 2.

 

U

I

 

U

0

 

U

ILmin 

U

ILmax 

U

IHmin 

U

IHmax 

U

0Lmax 

U

0Hmin 

M

Lmin 

M

Hmin 

Rys. 2. Definicje marginesów zakłóceń, U

I

, U

0

 – poziom napięć na WE i WY.

4

O

BCIĄŻALNOŚĆ

Obciążalność służy do określenia możliwości współpracy wielu układów w ramach tej samej 

grupy (rodziny). Jest miarą ilości wejść, które mogą być jednocześnie podłączone do jednego 

wyjścia analogicznego układu (sterowane przez wyjście jednej bramki). Wartość ta wynosi od 

10 do 40 w zależności od rodziny układów. W układach TTL maksymalna obciążalność wy-

nika z wydajności prądowej wyjścia i wejścia bramki. Natomiast w układach CMOS, gdzie 

wejście ma charakter pojemnościowy zwiększenie całkowitej pojemności obciążającej wyj-

ście spowoduje wzrost czasu propagacji układu.

UKŁADY TTL

TTL to popularna rodzina bipolarnych układów wytwarzanych w wielu wersjach różniących 

się przede wszystkim czasem propagacji. Oznaczenie katalogowe to 74xx (54xx), gdzie xx 

oznacza symbol układu logicznego. Na rys. 3 przedstawiono schemat 2-wejściowej bramki 

TTL standard oraz przekrój  struktury wieloemiterowego  tranzystora  wejściowego bramki. 

Tranzystor ulokowany jest na wyspie typu n w podłożu typu p (izolacja złączowa). Nowszą 

wersją układów jest rodzina TTL Schottky (oznaczenie 74Sxx). W porównaniu z serią orygi-

nalną   TTL   standard,   tranzystory   mają   tutaj   złącza   kolektor-baza   zbocznikowane   diodami 

Schottky’ego, co zapobiega wchodzeniu tranzystorów w głębokie nasycenie w stanie włącze-

nia. Obecnie produkowane są układy zaawansowane (Advanced) rodziny TTL Schottky, serii 

AS, ALS i FAST. Seria AS ma parametry porównywalne z rodziną układów ECL i należy do 

najszybszych układów bipolarnych.

a) 

 

+U

CC 

Y

 

A

 

B

 

4k

 

1,6k

 

1k

 

130

 

 

p

 

p

 

p

 

p

 

n

 

n

+ 

n

+ 

n

+ 

E

1 

E

2 

B

 

C

 

p

 

podłoże Si

 

p

 

b)

Rys. 3. Dwu-wejściowa bramka NAND TTL standard: a) schemat elektryczny, b )przekrój 

struktury wieloemiterowego tranzystora wejściowego – układ z izolacją złączową.

5

Podstawowe parametry układów wybranych serii podano w Tabeli 1.

T

ABELA

 1

Rodzina

Oznaczenie

P [mW]

τ

p

 [ns]

Współczynnik 

jakości Q [pJ]

Obciążalność

Standard

TTL

10

10

100

10

Advanced Schottky

TTL AS

8

1,7

13,6

48

Adv. Low Power

TTL ALS

1,2

4

4,8

40

FAST

TTL F

5,5

3,5

19

33

Wszystkie układy TTL zasilane są napięciem 5 V 

±

 5% (5 V 

±

 10% – układy 54xx)

Napięcia stanów logicznych: 

stan niski (0) – to napięcie 0,2 V (przedział: 0 V–0,4 V)

stan wysoki (1) – to napięcie 3,5 V (przedział 2,4 V–5 V)

Na rys. 4 przedstawiono charakterystyki przejściowe bramki (inwertera) TTL.

 

U

0

[V] 

U

I

[V] 

5 

4 

3 

2 

1 

1 

2 

3 

4 

5 

a)

 

U

0

[V] 

U

I

[V] 

5 

4 

3 

2 

1 

1 

2 

3 

4 

5 

b)

Rys. 4. Charakterystyki przejściowe: a) bramki NAND TTL Standard 7400, 

b) bramki TTL NAND 74S00 (z bocznikującymi diodami Schottky’ego).

Układy TTL pobierają moc z zasilacza także w stanie ustalonym. W czasie przełączania po-

bór prądu wzrasta do kilkunastu miliamperów (rys. 5).

 

U

0

 

I

CC

 

0,2V 

3,5V 

1mA 

14mA (C

obc

=50pF) 

25ns 

3,4mA 

1mA 

H 

L 

czas 

czas 

Rys. 5. Pobór prądu przez układ TTL stan-
dard w czasie przełączania

W celu ograniczenia możliwości generacji sygnałów zakłócających nie podłączone wejścia 

bramek TTL NAND należy podłączać poprzez rezystor 1kΩ do zacisku zasilania U

cc

.

6

UKŁADY CMOS

Podstawową komórką  układów  CMOS (komplementarna  technologia  MOS) jest inwerter, 

zbudowany z dwóch tranzystorów MOSFET normalnie wyłączonych (E-MOSFET) o prze-

ciwnych typach kanałów (rys. 6)

a

)

 

+U

CC 

U

0 

U

I 

b)

 

podłoże Si

 

n

 

p

 

n

+ 

n

+ 

p

 

U

I 

p

 

U

0 

+U

CC 

Rys.   6.   Inwerter   CMOS:   a)   schemat   elektryczny,  
b) przekrój struktury.

Na rys. 7 pokazano układ elektryczny oraz symbol dwuwejściowej bramki CMOS NAND 

oraz NOR.

 

+U

CC 

Y

 

A

 

B

 

a)

 

+U

CC 

Y

 

A

 

B

 

b)

Rys. 7. Układ elektryczny oraz symbol dwuwejściowej bramki CMOS: a) NAND, b) NOR.

Układy CMOS stanowią dziś podstawową grupę układów VLSI. Także w małej skali integra-

cji (SSI) układy bramek i przerzutników w technologii CMOS odgrywają istotną rolę, często 

zastępując układy TTL w zastosowaniach wymagających ograniczenia mocy pobieranej z za-

silacza. 

Podstawową zaletą układów CMOS jest minimalna moc statyczna (rząd mikrowatów). W sta-

nie ustalonym  1 lub  0 jeden z tranzystorów inwertera jest zawsze wyłączony i pobór prądu 

jest zablokowany (z wyjątkiem niewielkiego prądu pasożytniczego upływu). Straty mocy ro-

sną intensywnie dopiero przy znacznym zwiększeniu częstotliwości przełączania. 

7

W chwili przełączenia obydwa tranzystory są chwilowo załączone. Moc dynamiczna rośnie 

liniowo z częstotliwością pracy:

P

dyn

 = U

CC

2

 C

obc

 f

z

Na rysunku 8 przedstawiono wykres poboru prądu z zasilania w czasie pracy układu CMOS 

(tu wersji 4000B – długie czasy propagacji).

 

U

0

 

I

CC

 

0V 

5V 

1

µ

A 

5mA (C

obc

=50pF) 

100ns 

czas 

czas 

Rys.   8   Pobór   prądu   przez   bramkę   CMOS 
(4000B) w czasie przełączania.

Ponieważ moc tracona jest proporcjonalna do kwadratu napięcia zasilania, układy CMOS 

VLSI (procesory, pamięci) dostosowane są do niższego napięcia zasilania: 3,3 V lub 2,5 V. 

W tym ostatnim przypadku, w porównaniu z zasilaniem 5 V, zmniejszenie mocy jest cztero-

krotne:

(5/2,5)

2 

= 4.

Niskie napięcie zasilania niesie dodatkową zaletę: mały poziom zakłóceń elektromagnetycz-

nych wnoszonych przez sam układ. Także układy CMOS o małej szybkości działania zasilane 

z baterii (w zegarkach, kalkulatorach, itp.) mają obniżone napięcia zasilania, nawet do 0,8 V – 

1,5 V. Praca przy różnych napięciach zasilania układu CMOS jest możliwa dzięki unikatowej 

charakterystyce przejściowej układu (rys. 9). Napięcie stanów  H  i  L  to odpowiednio +U

CC 

oraz 0 V (masa), a napięcie przełączania U

HT  

= ½ U

CC  

(wyjątek stanowią układy serii HCT 

i ACT, zamienniki TTL, które mają U

HT 

= 1,4 V). Dzięki temu układy CMOS mają duże mar-

ginesy zakłóceń i są odporne na zakłócenia nawet dla niewielkich amplitud sygnału logiczne-

go. Układy serii 4000B (74C) pozwalają na pracę w szerokim zakresie napięć zasilania 3-18 

V i znajdują zastosowanie w warunkach dużych zakłóceń zewnętrznych.

8

a)

 

U

0

[V] 

U

I

[V] 

5 

10 

5 

10 

U

CC

=5V 

U

CC

=10V 

0 

b)

 

U

0

[V] 

U

I

[V] 

5 

4 

3 

2 

1 

1 

2 

3 

4 

5 

HC 
AC 

HCT 
ACT 

0 

Rys. 9. Charakterystyki przejściowe CMOS: a) układ 4000B (74C), b) układy HC, HCT dla 

różnych wartości napięć zasilania.

Podstawowe parametry układów wybranych serii podano w Tabeli 2.

T

ABELA

 2

Rodzina

Oznaczenie

U

CC

 [V]

τ

p 

 [ns]

f

pracy

 [MHz]

Z bramką MOS metalową 

4000B (74C)

3 - 18

125

4

Szybkie 

HC

2 - 6

8

50

Szybkie (zamienniki TTL)

HCT

5

8

50

Zaawansowane

AC, (AHC)

2 - 6

3 (5,2)

160 (115)

Zaawansowane (zamienniki TTL)

ACT, (AHCT)

5

3 (5,2)

160 (115)

Niskonapięciowe

LV

2 - 5,5

9

70

Zaawans. niskonapięciowe

ALVC

1,2 - 3,6

3

300

Uwaga: Poza serią 4000B, wszystkie inne mają bramki tranzystorów MOSFET z krzemu po-
likrystalicznego (tzw. bramki polikrzemowe)

Przy obsłudze (montażu) układów CMOS należy postępować ostrożnie, gdyż układy są 

wrażliwe na ładunki elektrostatyczne. Może nastąpić przebicie tlenku bramkowego w 

tranzystorach MOSFET. Wyprowadzeń nie wolno dotykać!

Nie podłączone wejścia bramek należy zawsze dołączyć do U

cc

 lub masy. Konieczne jest 

to nie tylko ze względu na niepożądane zakłócenia, ale także możliwość ładowania się wej-

ścia i przejście w stan poboru prądu z zasilacza (straty mocy – grzanie się układu).

9

4. PROGRAM ĆWICZENIA

W ramach ćwiczenia badane są właściwości wybranych układów scalonych TTL, np.: (UCY) 

7400, 74LS00, 74LS02 itp. oraz układów CMOS (seria 4000B), np.: (MCY) 74001, 74011. 

Sprawdzić w katalogu rodzaj i typ badanego układu (w tym realizowaną funkcję logicz-

ną).

4.1. Sprawdzenie funkcji logicznych bramek 

W katalogu odszukać dane techniczne badanych układów. Zapisać funkcje logiczne i pozio-

my napięć odpowiadających stanom logicznym low (0) i high (1) badanych układów.

Połączyć układy pomiarowe jak na rysunku 10. 

a)

+5V

V

b)

+5V

V

Rys.10. Sprawdzenie  funkcji  logicz-
nych   bramek   a)   NAND,
b) NOR.

Zasilić badany układ napięciem 5 V ± 5% (5 V ± 0,25 V). Do wejść doprowadzić napięcia 

odpowiadające stanom 0 i 1. Najprościej można to zrobić łącząc wejścia z masą (0) i +5 V 

(1). Odczytać i zapisać napięcia wyjściowe dla wszystkich kombinacji napięć wejściowych 

(stanów logicznych). Sprawdzenie wykonać dla wszystkich bramek w układzie scalonym. Je-

śli nie wszystkie bramki są sprawne należy wymienić układ i badanie powtórzyć. 

4.2. Pomiar charakterystyk przejściowych bramek. 

Połączyć układ pomiarowy według rysunku 11. Zasilić układ napięciem 5 V ± 5%. Na po-

czątku nie podłączać do badanej bramki generatora funkcyjnego i oscyloskopu. 

+5V

we 1 oscyloskopu

wy generatora

we 2 

oscyloskopu

a)

+5V

we 1 oscyloskopu

wy generatora

we 2 

oscyloskopu

b)

Rys. 11. Układy do pomiaru charakterystyk przejściowych a) NAND, b) NOR.

10

Podłączyć wyjście generatora funkcyjnego do wejścia 1 oscyloskopu. Oscyloskop ma praco-

wać w trybie DC z włączoną podstawą czasu. W generatorze wybrać sygnał trójkątny o czę-

stotliwości 10 ÷ 100 Hz. Obserwując sygnał z generatora na oscyloskopie ustawić amplitudę 

sygnału trójkątnego 5 V i składową stałą dobrać tak, aby sygnał zawierał się w przedziale 

0 ÷ 5 V. Pominięcie tego etapu grozi uszkodzeniem układu scalonego, bo sygnał wejściowy 

nie  może  przekraczać   napięć  zasilających. (W  dowolnej  chwili   napięcie   nie  może  być 

ujemne i większe od +5 V)

Podłączyć wejście 2 oscyloskopu do wyjścia bramki, a do wejścia badanej bramki podłączyć 

wejście 1 oscyloskopu i wyjście generatora funkcyjnego. Sprawdzić, czy bramka przełącza 

się na wyjściu. 

Przełączyć oscyloskop w tryb XY, odłączyć wejścia (przełącznikami oscyloskopu), znaleźć 

i zapamiętać początek układu współrzędnych. Teraz można włączyć wejścia oscyloskopu. Na 

ekranie powinna pojawić się charakterystyka przejściowa bramki. Przerysować lub wydruko-

wać tę charakterystykę. Nie zapomnieć zaznaczyć początku układu współrzędnych. Z ekranu 

lub wydruku odczytać poziomy przełączania bramek i marginesy zakłóceń. Zapisać wyniki. 

4.3. Pomiar czasu propagacji sygnału przez bramkę. 

Połączyć układ pomiarowy wg rys. 12.

Na początku nie podłączać generatora i oscyloskopu do bramek. Podłączyć generator funkcyj-

ny do wejścia 1 oscyloskopu. Oscyloskop ma pracować w trybie DC z włączoną podstawą 

czasu. Wybrać w generatorze sygnał prostokątny o amplitudzie 5 V i składową stałą taką, aby 

sygnał zawierał się w zakresie 0 ÷ 5 V. (Patrz ustawianie generatora do pomiaru charaktery-

styk przejściowych.)

a)

b)

+5V

Generator 

funkcyjny

we 1 

oscyloskopu

we 2 

oscyloskopu

+5V

Generator 

funkcyjny

we 1 

oscyloskopu

we 2 

oscyloskopu

Rys. 12. Pomiar czasów propagacji 
a) NAND, b) NOR.

11

Podłączyć generator funkcyjny i oscyloskop do badanego układu. Pierwsza bramka formuje 

impulsy z generatora. Należy zmierzyć czas propagacji drugiej bramki. W zależności od cza-

su propagacji bramek dobrać częstotliwość impulsów z generatora. Korzystając z charaktery-

styk przejściowych zmierzonych wcześniej określić progi przełączania badanych bramek oraz 

z definicji zmierzyć czasy propagacji. 

Przerysować  lub wydrukować  odpowiednie  wykresy z  ekranu oscyloskopu  i dołączyć  do 

sprawozdania. 

4.4. Pomiar mocy pobieranej przez bramki w zależności od częstotliwości przełączania.

Połączyć układ pomiarowy wg rys. 13.

a)

+5V

we 1 oscyloskopu

wy generatora

we 2 

oscyloskopu

mA

b)

+5V

we 1 oscyloskopu

wy generatora

we 2 

oscyloskopu

mA

Rys. 13. Układ do pomiaru mocy pobieranej przez bramki a) NAND, b) NOR.

Generator  funkcyjny  ustawić  tak  jak do  pomiaru  czasu  propagacji  sygnału   przez  bramkę 

i podłączyć do badanej bramki. Na oscyloskopie sprawdzić, czy bramka przełącza się na wyj-

ściu. Zmierzyć prąd pobierany przez bramkę w zależności od częstotliwości przełączania. Po-

miary wykonać w zakresie częstotliwości 100 Hz 

÷

 1 MHz, chyba, że wcześniej bramka prze-

stanie się przełączać. (Dlaczego tak może się stać?). 

Dla bramki CMOS przy najwyższej częstotliwości przełączania:

a) zapisać prąd pobierany przez układ z podłączonym oscyloskopem,

b) odłączyć oscyloskop od wyjścia bramki przez wyjęcie kabla z gniazda na płytce z 

układem

c) zapisać prąd pobierany przez układ z odłączonym oscyloskopem. 

Wyjaśnić zaobserwowane zjawisko. Jaki parametr wejścia oscyloskopu można na tej podsta-

wie oszacować? Wykonać to szacowanie i porównać z danymi znamionowymi wejścia oscy-

loskopu (odczytać na obudowie obok gniazda wejściowego) i z pojemnością kabla koncen-

trycznego (około 100 pF/m).

12