1. Sieć krystalograficzna A3 jest oparta na układzie krystalograficznym: 

heksagonalnym

 regularnym 

trójskośnym 

2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania: 

kowalencyjnego 

jonowego

 wodorowego 

3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe: 

czterościenne

 sześciościenne 

ośmiościenne 

4.Stopy metaliczne mogą być roztworami stałymi: 

różnowęzłowymi międzywęzłowymi

 bezwęzłowymi 

5.Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z: 

antyferromagnetyków diamagnetyków 

paramagnetyków 

6.Materiał magnetyczny twardy powinien mieć dużą wartość: 

stratności 

indukcji remanencji należenia koercji

 

7.Stal krzemowa zimnowalcowana jest: 

diamagnetykiem 

ferromagnetykiem

 ferrytem 

8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest: 

dodatni

 ujemny 

zerowy 

9.Napylanie katodowe stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych: 

hybrydowych cienkowarstwowych

 monolitycznych 

hybrydowych 

grubowarstwowych 

1O. Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość: 

rezystywności 

TWR siły termoelektrycznej

 

11.Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym: 

donorowo

 akceptorowo 

niedomieszkowanym 

l2. Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowych zalicza się: 

implantację

 topienie 

strefowe 

transmutacje

 

 

13.Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie: 

MBE                                   

VPE

 LPE 

14.Złącze p-n jest podstawowym elementem: 

warystora 

fotodiody

 termistora 

15.Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter: 

elektronowy 

jonowy

 dipolowy 

16.Rezonansowa i bezstratna jest polaryzacja: 

dipolowa 

elektronowa

 

atomowa 

1.Sieci krystalograficzne Al i A2 są oparte na układzie krystalograficznym: 

heksagonalnym 

regularnym

 trójskośnym 

2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania: 

kowalencyjnego 

jonowego

 wodorowego 

3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe: 

czterościenne

 sześciościenne 

ośmiościenne 

4.Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem: 

punktowym 

liniowym

 powierzchniowym 

5.0bwody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje się z: 

antyferromagnetyków diamagnetyków  paramagnetyków 

6.Material na magnesy trwale metaliczne to: 

czyste żelazo stal 

hartowana 

stal 

krzemowa zimnowalcowana 

7.Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest: 

FeO 

Fe203

 NiO 

 

8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest: 

dodatni

 ujemny 

zerowy 

9.Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych: 

hybrydowych cienkowarstwowych 

monolitycznych 

hybrydowych grubowarstwowych 

1O. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory: 

techniczne precyzyjne 

grzejne

 

11. Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym: 

donorowo

 akceptorowo 

niedomieszkowanym 

12. Podstawową metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest: 

implantancja 

topienie strefowe

 transmutacja 

13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie: 

MBE CVD 

MOCVD

 

14. Złącze p-n jest podstawowym elementem: 

warystora 

fotodiody

 termistora 

15. Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter: 

elektronowy 

jonowy

 dipolowy 

16. Na straty w dielektrykach przy napięciu przemiennym ma wpływ ich: 

przewodność

 indukcyjność 

polaryzacja

 

2.   Wiązania międzyatomowe metaliczne polegają na: 

polaryzacji cząsteczek uwspólnieniu 

elektronów 

wymianie elektronów

 

3. W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe: 

dwuścienne 

czterościenne

 

ośmiościenne

 

4. Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem: 

punktowym 

liniowym

 powierzchniowym 

5. Obwody magnetyczne i magnesy trwałe wykonuje się z materiałów: 

f

erromagnetycznych

 

ferrimagnetycznych

 paramagnetycznych 

6. Materiał magnetycznie miękki powinien mieć małą wartość: 

stratności

 indukcji 

nasycenia 

natężenia koercji

 

7. Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest: 

FeO 

Fe203

 

       NiO 

8. Przewodność elektryczna metali ma charakter: 

pozytonowy 

elektronowy

 jonowy 

9. Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się: 

aluminium

 

miedź

 karborund 

10. Kanthal i superkanthal to materiały na rezystory: 

techniczne precyzyjne 

grzejne

 

11. Dziury są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym: 

donorowo 

akceptorowo

 niedomieszkowanym 

12. Topnienie strefowe materiałów półprzewodnikowych wiąże się z ich: 

odparowaniem 

oczyszczaniem

 domieszkowaniem 

13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie: 

MBE CVD 

MOCVD

 

14. Temperaturowy współczynnik rezystancji materiałów półprzewodnikowych jest: 

dodatni 

ujemny

 zerowy 

15. W dielektrykach mogą występować następujące rodzaje polaryzacji: 

dipolowa

 

atomowa