13 Nagrzewanie i chłodzenie przyrządów półprzewodnikowych

background image

Projekt współfinansowany ze środków Unii Europejskiej w ramach

Europejskiego Funduszu Społecznego

background image

T. Tarczewski

2

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ORAZ METODY

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ORAZ METODY

ICH CHŁODZENIA

ICH CHŁODZENIA

cechy użytkowe półprzewodnikowych łączników energoelektronicznych silnie

zależą od temperatury struktury półprzewodnikowej

przekroczenie granicznej wartości temperatury złącza skutkuje wadliwym

działaniem łącznika lub jego uszkodzeniem

wartości maksymalnych temperatur złącz łączników:

diody: 170÷190ºC

tranzystory (MOS i IGBT): 140÷170ºC

tyrystory (SCR, GTO): 125ºC

tranzystory GaN (azotek-galu): 300ºC

Podstawowe informacje

www.semikron.com

background image

T. Tarczewski

3

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ORAZ METODY

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ORAZ METODY

ICH CHŁODZENIA

ICH CHŁODZENIA

straty mocy w postaci energii cieplnej są odprowadzane ze złącza

półprzewodnikowego poprzez metalowe podłoże obudowy przyrządu

odprowadzanie energii cieplnej do otoczenia następuje przy użyciu

radiatora

przebieg temperatury złącza w czasie dla określonych warunków pracy

zależy od:

strat mocy

efektywności odprowadzania ciepła

Odprowadzanie energii cieplnej

background image

T. Tarczewski

4

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

Modele cieplne

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

background image

T. Tarczewski

5

Przyrost temperatury struktury półprzewodnikowej

Δ

T

j

=

P

str

(

R

thjc

+

R

thcr

+

R

thr a

)

P

str

[W]

– ustalona wartość strat mocy wydzielanych w złączu

R

thj-c

[ºC/W] – rezystancja cieplna między złączem i obudową

R

thc-r

[ºC/W] – rezystancja cieplna między obudową i radiatorem

R

thr-a

[ºC/W] – rezystancja cieplna między radiatorem i czynnikiem chłodzącym

Warunek poprawnej pracy złącza

T

j

=

T

a

T

j

<

T

j max

T

j

– ustalona temperatura złącza

T

a

– temperatura czynnika chłodzącego

T

j max

– wartość maksymalna temperatury złącza

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

background image

T. Tarczewski

6

Przebiegi

strat mocy

i

temperatury złącza

przy różnych rodzajach obciążenia

obciążenie ciągłe

obciążenie ciągłe

z impulsem

przeciążenia

obciążenie

impulsowe ciągłe

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

background image

T. Tarczewski

7

Schemat modelu cieplnego dla stanów przejściowych

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

background image

T. Tarczewski

8

Przejściowa impedancja cieplna

Z

th(tx )

=

Δ

T

j (tx)

P

str M

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

NAGRZEWANIE SIĘ PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

background image

T. Tarczewski

9

CHŁODZENIE PRZYRZĄDÓW

CHŁODZENIE PRZYRZĄDÓW

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

doboru radiatora oraz sprawdzenia warunków chłodzenia ze względu na

maksymalną temperaturę złącza dokonuje się na podstawie obliczeń

cieplnych uwzględniając:

wartość rezystancji cieplnej elementu półprzewodnikowego

charakterystykę impedancji cieplnej elementu półprzewodnikowego

rodzaje chłodzenia:

powietrzne

cieczowe

dwustanowe

Podstawowe informacje

background image

T. Tarczewski

10

CHŁODZENIE POWIETRZNE

CHŁODZENIE POWIETRZNE

radiator – kształtownik wykonany z walcowanych szyn aluminiowych o

rozwiniętym profilu przekroju poprzecznego

metody odprowadzania ciepła:

konwekcja naturalna

konwekcja wymuszona

Podstawowe informacje

ilustracje pochodzą z katalogu firmy Semikron

background image

T. Tarczewski

11

CHŁODZENIE CIECZOWE

CHŁODZENIE CIECZOWE

duże moce przekształtnika przy ograniczonych wymiarach

radiatory wyposażone w doprowadzenie i odprowadzenie cieczy

ciecz chłodząca – woda

zamknięty, wymuszony obieg cieczy chłodzącej

chłodnica powietrzna lub wymiennik ciepła

Podstawowe informacje

ilustracje pochodzą z: P. Beckedahl, “Advanced Power Module Packaging for increased Operation Temperature and Power Density”,
EPE-PEMC 2012 ECCE Europe, Novi Sad, Serbia

background image

T. Tarczewski

12

CHŁODZENIE DWUSTANOWE

CHŁODZENIE DWUSTANOWE

duże moce przekształtnika przy ograniczonych wymiarach

wykorzystanie zjawisk fizycznych powstających w tzw.

rurze cieplnej

ciecz chłodząca – woda

Podstawowe informacje


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
13 Nagrzewanie i chłodzenie przyrządów półprzewodnikowych
Przyrządy półprzewodnikowe (2)
CWn12, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 5 , LABORATORIUM FIZYCZNE
Materiałoznawstwo, Badanie właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych, POLITECHNIKA LUBE
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 1 , Pomiar pierwszy
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 4 , ˙ukasz Czerlonek
Badanie optoelektrycznych właściwości przyrządów półprzewodnikowych 4 , ˙ukasz Czerlonek
Przyrzady polprzewodnikowe polowe II v 2 MAG
Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych
SPIS-i-ORG 05, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
13 Nagrzewanie ultradźwiękowe 1
CW-OZNA, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
CWn14, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
CWn7, 3 semestr, Przyrządy Półprzewodnikowe
inne2, Bipolarny, Tranzystory są to trójkońcówkowe przyrządy półprzewodnikowe służące do wzmacniania

więcej podobnych podstron