Podczas przełączenia tranzystora punkt pracy przemieszcza się po prostej

obciąŜenia z połoŜenia A do połoŜenia B i z powrotem.

Tranzystor  od  stanu  zatkania  (punkt  A  w  obszarze  odcięcia)  poprzez

obszar pracy, przechodzi do stanu nasycenia (punkt B w obszarze nasycenia).

Tranzystor przechodzi do stanu nasycenia juŜ przy U

CE

 = U

CEsat

, to jest po

osiągnięciu połoŜenia B

1

. W tym momencie róŜnica potencjałów na złączu C-B

jest  równa  zeru.  Przejście  punktu  pracy  do  zakresu  nasycenia  powoduje
polaryzację złącza C-B w kierunku przewodzenia.

Do  bazy  tranzystora  (do  obszaru  typu  p  z  obszarów  typu  n)  są

wstrzykiwane  nośniki mniejszościowe  (elektrony)  przez  złącze  emiterowe  E-B
oraz kolektorowe C-B.

Następuje gromadzenie duŜej ilości nośników mniejszościowych w bazie.

Zmiany połoŜenia punktu pracy tranzystora w procesie przełączania.

prosta
obciąŜenia

I

C

 [mA]

0

U

CE

 [V]

I

B 

= 5 

µ

A

I

B 

= 10 

µ

A

I

B 

= 15 

µ

A

I

B 

= 20 

µ

A

U

CEsat

U

CB 

= 0

 A

I

B

=0

R

L

U

CC

 B

U

CE

 = U

CC

obszar aktywny

obszar nasycenia

obszar odcięcia

 B

1