background image

 
 
4. Efekt Holla
 
Na poruszający się ładunek w polu 
magnetycznym działa siła Lorenza: 

B

V

q

F

×

=

 

Nośniki ładunku, zarówno dodatnie, jak 
i ujemne, są odchylane w tą samą stronę 
(bo wędrują w przeciwnych kierunkach). 
Na podstawie ładunku, jaki zgromadzi 
się na boku płytki można 
wywnioskować, jakie cząstki przewodzą 
prąd. 

siła pola magnetycznego: 

evB

F

B

±

=

 

siła pola elektrycznego, powstającego w wyniku efektu Holla:  

H

e

F

H

ε

ε

=

 

Korzystamy ze wzoru 

nev

j

=

, gdzie 

u

v

v

 - prędkość unoszenia 

neS

I

ne

j

v

=

=

gdzie  

ad

S

=

 

Stąd: 

neda

IB

neS

IB

H

=

=

ε

 

Napięcie hollowskie: 

d

U

H

H

ε

=

   

 

neda

IB

d

U

H

=

    →     

nea

IB

U

H

=

 

(często pisze się:  

IB

nea

U

H

1

±

=

 - znak zależy od ładunku nośników) 

Okazuje się, że w pewnych strukturach zachodzi tzw. kwantowy 
efekt Holla (QHE). 
 
Później dostrzeżono również ułamkowy kwantowy efekt Holla 
(FQHE) – kwantowanie pojawiało się w niskich temperaturach 
dla trzykrotnie wyższych B: 
 
 
 
 
 

0

=

dt

df

 

     

0

1

=

+

τ

f

f

F

k

h

 

1

0

f

f

f

+

=

       

1

0

f

f

f

k

k

k

+

=

 

 
Jeżeli weźmiemy tylko pole elektryczne, 

możemy dla tego przypadku pominąć 

1

f

k

E

E

f

f

f

k

k

k

=

0

0

       

/

h

ε

q

 

=

0

f

q

f

q

k

k

h

h

ε

ε

 

ε

ε

q

E

f

V

E

E

f

q

k

=

=

0

0

h

 

 

background image

 

0

)

(

0

=

+

τ

χ

ε

V

E

V

E

f

q

,  gdzie 

ε

τ

χ

=

E

f

q

E

0

)

(

 

Wprowadzamy siłę: 

(

)

B

V

q

F

×

+

=

ε

 

Korzystając z 

0

f

f

k

k

 dostaniemy: 

(

)

B

V

V

E

f

q

f

×

+

=

ε

τ

0

1

 

Z definicji 

,

B

V

V

×

 stąd 

0

=

×

B

V

V

, co oznacza, że nie możemy sobie pozwolić na to przybliżenie 

i musimy uwzględnić całość: 

1

0

f

f

f

k

k

k

+

=

 

Jest to skomplikowane i w ogólnym przypadku nie da się tego rozwiązać. Stosujemy inne przybliżenie: 

)

(

)

(

0

E

S

E

χ

χ

=

, gdzie  - tensor, 

ε

τ

χ

=

E

f

q

E

0

0

)

(

    

Pole magnetyczne zmienia funkcję 

)

(E

χ

 w tensor:  

ε

τ

χ

=

E

f

S

q

E

0

)

(

 

Również przewodnictwo będzie tensorem:  

*

2

m

S

e

τ

σ

=

 

dE

k

E

f

m

k

=

0

3

0

2

3

1

τ

π

τ

,    stąd:  

dE

k

E

f

S

S

m

k

=

0

3

0

2

3

1

τ

π

τ

 

Dokładna postać tensora nie jest znana, wiemy tylko co nieco o pewnych wyróżnionych kierunkach, np. 

(

)

0

,

0

,

x

x

ε

ε

ε

=

=

;  

(

)

z

z

B

B

B

,

0

,

0

=

=

 

Wówczas po skomplikowanych wyprowadzeniach: 

+

+

+

+

=

1

0

0

0

1

1

1

0

1

1

1

2

2

2

2

S

S

S

S

S

S

S

;    

τ

ω

C

S

=

,   gdzie   

Τ

=

=

π

ω

2

*

m

eB

C

 - częstość ruchu po okręgu elektronów 

Przechodzimy do współrzędnych tensora: 

ij

σ

σ

 

2

*

2

22

11

S

m

e

+

=

=

τ

σ

σ

;  

2

*

2

21

12

S

S

m

e

+

=

=

τ

σ

σ

τ

σ

*

2

33

m

e

=

 

Pozostałe: 

0

=

ij

σ

 

Gęstość prądu: 

j

ij

i

j

ε

σ

=

 

y

x

x

j

ε

σ

ε

σ

12

11

+

=

 

0

22

21

=

+

=

y

x

y

j

ε

σ

ε

σ

 - w kierunku   prąd nie płynie 

Stąd: 

y

y

y

x

ε

σ

σ

ε

σ

σ

ε

σ

σ

ε

12

11

12

22

21

22

=

=

=

 

y

y

y

x

j

ε

σ

σ

σ

ε

σ

ε

σ

σ

12

2

12

2

11

12

12

2

11

+

=

+

=

 

2

*

2

22

11

1

S

m

e

+

=

=

τ

σ

σ

;  

2

*

2

21

12

1

S

S

m

e

+

=

=

τ

σ

σ

;  

τ

π

τ

τ

ω

Τ

=

=

=

2

*

m

eB

S

C

 

τ

 - czas rozpraszania (krótki, rzędu 

10

10

~

s) 

Im wyższe pole tym większa 

C

ω

 i tym krótszy okres T. W słabych polach T

τ

>>

 i wówczas 

1

<<

S

 - 

możemy je pominąć i wtedy 

τ

σ

*

2

11

m

e

 

background image

 

Podobnie:  

( )

2

2

*

3

*

2

12

τ

τ

σ

m

B

e

S

m

e

=

 

( )

( )

2

2

2

2

*

3

2

2

*

4

12

2

11

12

2

12

2

11

τ

τ

τ

τ

σ

σ

σ

σ

σ

B

e

m

B

e

m

e

=

=

+

 

Stąd: 

y

x

B

e

j

ε

τ

τ

2

2

=

 

 

B

j

e

x

y

2

2

τ

τ

ε

=

 

Napięcie hollowskie: 

y

y

H

d

U

U

ε

=

=

d

U

H

y

=

ε

ad

I

j

x

x

=

 - wstawiamy to do wzoru: 

B

I

ade

d

U

x

H

1

2

2

τ

τ

=

,  

ostatecznie: 

B

I

ae

U

x

H

1

2

2

τ

τ

=

 

Stosujemy przejście: 

1

1

1

2

2

2

2

=

τ

τ

τ

τ

,  pamiętając, że 

n

=

1

 to koncentracja nośników 

Stąd: 

B

I

nae

U

x

H

1

1

2

2

τ

τ

=

,  

gdzie wyrażenie 

r

=

2

2

1

τ

τ

 to tzw. współczynnik hollowski 

Przewodnictwo typu n i p: 

(

)

2

2

p

e

p

n

c

µ

µ

σ

+

=

,  gdzie 

τ

µ

~

*

m

e

=

 - ruchliwość 

Mierząc napięcie hollowskie nie możemy od razu obliczyć koncentracji nośników, bo jest zafałszowana 
przez czynnik hollowski, który na ogół  1

. Dodatkowo, gdy przewodzą nośniki dwojakiego rodzaju, 

należy uwzględnić powyższy wzór. Wówczas współczynnik hollowski może zmianiać znak ze względu 
na różną ruchliwość elektronów i dziur (dziury mają większą bezwładność). 
 
 
5. 

Poziomy Landaua

 

Metoda masy efektywnej: 

( )

( )

r

E

r

m

ψ

ψ

=

2

*

2

h

r

k

i

e

=

ψ

 

Bez potencjału elektron w krysztale porusza się jak elektron swobodny z masą efektywną. W masie 

efektywnej zawarta jest informacja o funkcji 

( )

r

u

k

Landau zapisał równanie Schrödingera w postaci: 

( )

( )

r

E

r

m

p

ψ

ψ

=

*

2

2

ˆ

,    gdzie  





+

+

=

=

z

y

x

i

i

p

h

h

ˆ





+

+

=

=

2

2

2

2

2

2

2

ˆ

ˆ

ˆ

z

y

x

p

p

p

h

 

Mechanika klasyczna wprowadza pęd uogólniony: 

 

 

A

c

e

p

+

,   gdzie 

- potencjał wektorowy dla pola elektromagnetycznego 

Potencjał wektorowy jest tylko zabiegiem matematycznym, nie istnieje jako wielkość fizyczna. 

Wstawiamy pęd uogólniony do 

( )

( )

r

E

r

m

p

ψ

ψ

=

*

2

2

ˆ

 

Pole magnetyczne traktujemy jako rotację potencjału wektorowego: 

A

B

rot

=

 

(

)

0

,

0

,

yB

A

=

 

(

)

B

B

,

0

,

0

=

  (skalowanie landauowskie) 

 
 

background image

 

( )

( )

r

E

r

A

c

e

p

m

ψ

ψ

=

+

2

*

ˆ

ˆ

2

1

 

( )

( )

r

E

r

z

y

By

c

e

x

i

m

ψ

ψ

=



2

2

2

2

2

2

2

*

2

1

h

h

h

 

Rozwiązanie: 

( ) ( )

z

ik

x

ik

z

x

e

r

r

+

=

ϕ

ψ

 

Rozpisujemy i wstawiamy: 

( )

( )

z

ik

x

ik

z

ik

x

ik

z

x

z

x

e

r

E

e

r

z

y

y

B

c

e

x

By

c

e

i

x

m

+

+

=

+

+

ϕ

ϕ

2

2

2

2

2

2

2

2

2

2

2

2

2

*

2

2

1

h

h

h

h

 

( )

( )

y

E

y

m

k

y

y

B

c

m

e

By

cm

e

k

m

k

z

x

x

ϕ

ϕ

=

+

+

*

2

2

2

2

2

2

2

2

*

2

*

*

2

2

2

2

2

h

h

h

h

 

Częstość cyklotronowa: 

w układzie SI: 

*

m

eB

C

=

ω

w układzie jednostek Gaussa: 

c

m

eB

C

*

=

ω

 

( )

( )

r

E

r

m

x

m

ψ

ψ

ω

=





+

2

2

2

*

2

1

2

1

 - równanie Schrödingera dla oscylatora harmonicznego 

Energia drgań jest skwantowana: 

+

=

2

1

n

E

ω

h

 

Wyłączamy przed nawias: 

2

*

2

2

2

2

*

2

2

*

2

*

2

2

2

1

c

m

B

e

c

m

B

e

m

m

C

=

=

ω

 

( )

( )

y

m

k

E

y

m

k

B

e

c

m

By

cm

e

k

B

e

c

m

y

c

m

B

e

y

m

z

x

x

ϕ

ϕ





=





+

+

*

2

2

*

2

2

2

2

*

*

2

2

2

*

2

2

*

2

2

2

2

*

2

2

2

2

2

2

2

h

h

h

h

 

( )

( )

y

m

k

E

y

eB

c

k

y

eB

c

k

y

m

y

m

z

x

x

C

ϕ

ϕ

ω





=





+

+

*

2

2

2

2

2

*

2

2

*

2

2

2

2

1

2

h

h

h

h

 

Podstawiamy: 

eB

c

k

y

x

h

=

η

;   

y

=

η

 

Ostatecznie: 

( )

( )

η

ϕ

η

ϕ

η

ω

η





=

+

*

2

2

2

2

*

2

2

*

2

2

2

1

2

m

k

E

m

m

z

C

h

h

 

Interpretacja: 

elektron swobodny miał energię: 

(

)

*

2

2

2

2

2m

k

k

k

E

z

y

x

+

+

=

h

 

Gdy wprowadzamy pole magnetyczne, energia ulega 
skwantowaniu w płaszczyźnie prostopadłej do kierunku tego 
pola. 

+

+

2

1

2

2

n

k

k

y

x

ω

h

 

*

2

2

2

2

1

m

k

n

E

z

C

h

h

+

+

=

ω

 

 
W kierunku równoległym do kierunku pola nie ma 
kwantowania. 
 
 

background image

 
 
 
 
 
Efekty kwantowe w polu magnetycznym: 
 
Metodą epitaksji uzyskuje się bardzo cienkie 
warstwy półprzewodnika o zadanym składzie, np: 
Ga

1-x

Al

x

As | GaAs | Ga

1-x

Al

x

As | GaAs ... 

W ten sposób otrzymuje się studnię kwantową. 
Przerwa energetyczna pomiędzy Ga

1-x

Al

x

As a 

GaAs rozkłada się równo między pasmo 
przewodnictwa a pasmo walencyjne. 
Możemy ten układ potraktować jako 
nieskończoną studnię potencjału o szerokości    
i rozwiązać równanie Schrödingera dla jednego 
kierunku: 

)

(

)

(

2

2

2

2

x

E

x

dx

d

m

ψ

ψ

=

h

 

m

k

E

2

2

2

h

=

 

Z warunków brzegowych: 

π

n

kL

kL

=

=

0

sin

L

n

k

n

π

=

;  

2

2

2

2

2

n

mL

E

n

π

h

=

 

W studni potencjału elektron zachowuje się jak fala stojąca. Jego energia jest skwantowana. W realnym 
przypadku mamy studnię w paśmie przewodnictwa i paśmie walencyjnym, ale tylko w kierunku wzrostu 

kryształu ( ). Energia elektronu w rzeczywistej studni: 

(

)

*

2

2

2

2m

k

k

E

E

y

x

n

+

+

=

h

 

Wprowadzając domieszkę (domieszkowanie modulacyjne) uzyskujemy dodatkowy elektron, który 

wpada do studni i uzyskuje ogromną ruchliwość 

V

cm

10

7

µ

.  Niestety utrzymuje się ona tylko w 

niskich temperaturach (w wysokich fonony utrudniają ruch). 
Zamiast tego dostajemy półprzewodnik o ściśle określonej liczbie nośników prądu. 
 
Gdy wprowadzimy układ w pole magnetyczne, kwantowanie pojawi się również na kierunkach 

x

 i  

A więc energia elektronu zostanie całkowicie 
skwantowana: 

+

+

=

2

1

)

,

(

B

C

n

B

z

n

E

n

n

E

z

ω

h

;  

 

gęstość stanów: 

h

eB

B

=

ρ

  

- rośnie wraz z polem magnetycznym 

Poziomy są dosyć oddalone: 

*

m

eB

C

=

ω

, i na każdym 

poziomie, jeśli   jest duże, pojawia się dużo stanów. 
W wysokich   wszystkie elektrony siedzą na 
najniższym poziomie Landaua. Gdy zmniejszamy pole, 
część elektronów będzie mogła wskoczyć na wyższe 
poziomy. Stąd kwantowy efekt Holla. Warto zauważyć, 
ż

e jest on w zasadzie kwantowaniem oporu elektr.