Model fizyczny tyrystora

Wykład IV

Modele funkcjonalne

IGBT i MOSFET wyglądają tak samo

SW
zał U_ak>U_z S_g=1

U_AK
U_z

R_ak
100kΩ 1MΩ 10MΩ

U=R_i+L

U-R_i=L

U<0

I<0

R_on~1mΩ

R_off~1MΩ

Metoda zmiennej struktury

U=

10 rownan rożń

6 rownan rożń

3 rownania rożń

1 rownie rożń

=R_on

=R_off

S=q+1-w=10+1-4=7 S=7

q =
-dobieram tak aby reszte obliczyc z rownania kirchofa Q1+Q2=Q3

I

III

IV