WICZENIE LABORATORYJNE NR 26.
Tranzystor jest przyrzdem póprzewodnikowym speniajcym w ukadach elektronicznych podobn rol jak lampa elektronowa trioda ( lub pentoda ) .Podobnie jak ona tranzystor suy do wzmacniania prdu elektrycznego . Dlatego zwany jest te triod póprzewodnikow .
Tranzystor skada si z dwóch diod p-n osadzonych bardzo blisko siebie we wspólnym materiale póprzewodnikowym zwanym baz.Przewodnictwo bazy moe by typu nub typu p.Moliwe s wic tranzystory o budowie p-n-p oraz n-p-n.Zcza pomidzy poszczególnymi obszarami maj waciwoci prostowania prdu elektry-cznego ,natomiast przewody czce tranzystor z reszt ukadu elektronicznego s poczone z nim kontaktami niskoomowymi - nieprostujcymi.
Dziaanie tranzystora o budowie p-n-p. W czasie normalnej pracy emiter znajduje si pod napiciem dodatnim wzgldem bazy , natomiast do kolektora przykada si napicie ujemne ( znacznie wysze co do wartoci bezwzgldnej ni napicie przykadane do emitera ).W ten sposób zcze emiter - baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia , a zcze baza - kolektor w kierunku zaporowym.Jeeli do emitera nie jest przyoone adne napicie ( 
), wówczas po przyoeniu ujemnego napicia do kolektora popynie w jego obwodzie bardzo saby prd 
, który popynie ,gdy do emitera zostanie przyoone napicie dodatnie 
.Jest to zwizane z przepywem dziur z emitera do bazy , uatwionym dziki zwaniu warstwy zaporowej w obszarze zcza p - n midzy emiterem i baz.Wielu dziurom , które dostaj si z emitera do bazy , udaje si przedyfundowa w poblie zcza baza - kolektor.Tam zostaj one wcignite do kolektora silnym polem wytworzonym dziki istnieniu napicia 
.Dziury w bazie typu n s mniejszociowymi nonikami adunku i bardzo atwo przechodz przez spolaryzowane zcze n - p do obszaru typu p.W przypadku idealnym , gdy wszystkie dziury wychodzce z emitera dostaj si do kolektora , prdy kolektora i emitera s sobie równe.
Zmieniajc prd przepustowy emitera 
( poprzez zmian napicia 
) mona sterowa koncentracj noników mniejszociowych wprowadzonych do bazy , a tym samym prdem kolektora 
.Zakadajc liniowo charakterystyki , mona przyj , e przy staym napiciu kolektor - baza ( 
) prd kolektora jest proporcjonalny do prdu emitera
W przypadku braku liniowoci powysza zaleno nie traci na wanoci , jeeli 
traktuje si jako mae zmiany prdu , zwaszcza jako mae amplitudy prdu zmiennego . Wspóczynnik okrela , jaka cz prdu emitera dochodzi do kolektora . W dobrych tranzystorach jest on bliski jednoci ( 0,95 
0,99 ) .
Omawiany typ tranzystora nie umoliwia wzmocnienia prdu , wzmacnia jednak napicie oraz moc dziki temu , e opór zcza midzy emiterem a baz jest znacznie mniejszy , anieli opór zcza midzy baz a kolektorem.Pozwala to na umieszczenie w zewntzrnej czci obwodu maego oporu wejciowego 
i duego oporu wyjciowego 
.W czasie pracy wzmacniacza natenia prdów pyncych przez obydwa wymienione opory s w przyblieniu równe , natomiast spadki napi na 
s znacznie wiksze ni na 
.Poniewa moc wyraa si iloczynem napicia przez natenie prdu , wzmocnienie mocy w omawianym tranzystorze ma podobn warto jak wzmocnienie napicia .Za pomoc jednego tranzystora mona uzyska wzmocnienie siegajce dziesitków tysicy .
OBLICZENIA
1) Wykres charakterystyk 
przedstawia zacznik nr 1
2) Wykres charakterystyk 
przedstawia zacznik nr 2
3) Wykres charakterystyk 
przedstawia zacznik nr 3
4) Obliczam rezystancj wyjciow tranzystora :
R wy = 14,28 * 103
5) Obliczam rezystancj wejciow tranzystora :
R we = 400
6) Obliczam maosygnaowy wspóczynnik wzmocnienia :
h21 = 44,2
7) Wyznaczam wspóczynnik :
á = 0,978
8) Obliczam wspóczynnik sprzenia zwrotnego :
h 12 = 5,625 *10-4
WNIOSKI
Celem powyszego wiczenia byo wyznaczenie charakterystyk tranzystora tzn. rezystancji wejciowej , wspóczynnika sprzenia zwrotnego okrelajcego wpyw napicia na wyjciu na napicie wejciowe , maosygnaowego wspóczynnika wzmocnienia prdowego oraz konduktancji wyjciowej.Naleao równie wykona wykresy trzech charakterystyk na papierze milimetrowym.Przy obliczaniu tych wspóczynników pomocne byy wykresy , jak i tabela wyników zawierajca warto dla odpowiednich nate czy napic tranzystora.Bdy pomiarowe mogy wynikn z niedokadnoci odczytu mierzonych wartoi z amperomierza i woltomierza ( w dowiadzczeniu uywane byy woltomierze elektroniczne o niszej dokadnoci ni tradycyjne ). Wspóczynnik zosta wyznaczony w miar dokadnie. Jest on bliski.
jednoci. wiadczy to o dorej jakoci tranzystora zastosowanego w tym dowiadczeniu
Wyszukiwarka