2008. opracowanie pytań, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Wykład, Elektronika i Energoelektronika. Wykład, pytania EIE


1.Równanie Schockley'a:

0x01 graphic

U-napięcie polaryzacji złącza(w kierunku przewodzenia!)

Isal-prąd nasycenia złącza,który zależy od konstrukcji złącza i parametrów materiałów

T-tempreratura w Kelwinach

q-ładunek elektronu

k-stała Bolzmana

UT-potenciał termodynamiczny
0x01 graphic
,który wynosi ok.26mV dla T=300K(temp. pokojowa)

2. Wymienić 5 diód i wypisać ich zastosowanie:

Dioda prostownicza(dioda ogólnego zastosowania)-

-ograniczniki napięć, analogowe generatory funkcyjne, układy prostownicze(1-,3- fazowe)

Dioda impulsowa:

-szybkie ograniczniki napięć, układy detektorów, szybkie uk. prostownicze oraz uk. przekształtnikowe

Dioda Schottky'ego:

-szybkie uk.ograniczników napięć, szybkie uk. prostownikowe(1-,3- fazowe) oraz przekształtnikowe

Dioda Zennera:

-generatory napięć referencyjnych, uk. stabilizacji napięć, uk. ograniczania wartości napięć oraz zabezpieczeń nadnapięciowych

Dioda elektroluminescencyjna(LED):

-uk. transmisji danych, uk.sprzęgaczy optycznych, uk. sygnalizacji optycznej oraz wyświetlacze, systemy oświetleniowe

Fotodioda:

-fotodetektory, uk. sprzęgaczy optycznych, ogniwa solarne(baterie słoneczne)

Dioda pojemnościowa:

-obwody w.cz.(wysokich częstotliwośći chyba:P) , selektywne wzmacniacze przestrajalne w.cz.- technika radiowa, TV oraz telekomunikacja

3. Narysować symbol diody prostowniczej i wykres jej oraz symbol tranzystora npn i wykres do tego:

Dioda prostownicza:

0x01 graphic

Tranzystor NPN: (głównym nośnikiem prądu są elektrony )

0x01 graphic

E-emiter

B-baza

C-kolektor

Strzałka wskazuje kierunek przepływu prądu emitera

4.Narysować i podpisać 3 typy podstawowych bramek (czyli: "not", "or" i "and")

0x01 graphic

5. Wymienić maksymalne graniczne sprawności energetyczne wzmacniacza mocy typu A i wzmacniacza typu B :

A-1/2(50%)

B- 0x01 graphic
(~78%)

6. Narysować podstawowy schemat wzmacniacza operacyjnego:

7.Typy pamięci ROM RAM opisać:

ROM (ang. Read-Only Memory - pamięć tylko do odczytu) - rodzaj pamięci urządzenia elektronicznego, w szczególności komputera. Zawiera ona stałe dane potrzebne w pracy urządzenia - np. procedury startowe komputera, czy próbki przebiegu w cyfrowym generatorze funkcyjnym.Z pamięci tej dane można tylko odczytywać. Są w niej przechowywane podstawowe dane, które muszą zostać zachowane nawet jeśli urządzenie nie jest zasilane.

W normalnym cyklu pracy urządzenia pamięć ta może być tylko odczytywana. Przygotowanie, poprzez zapis informacji do pamięci, wykonywane jest w zależności od rodzaju pamięci. Najpopularniejsze rodzaje to:

ROM - pamięci tylko do odczytu. Ten typ pamięci programowany jest przez producenta w trakcie procesu produkcyjnego. Czasami ROM określana jako MROM (Mask programmable ROM).

PROM (ang. Programmable ROM) - programowalna pamięć tylko do odczytu. Jest to pamięć jednokrotnego zapisu. Pierwsze pamięci tego typu były programowane przez przepalenie cieniutkich drucików wbudowanych w strukturę (tzw "przepalanie połączeń").

EPROM (ang. Erasable Programmable ROM) - kasowalna pamięć tylko do odczytu. Pamięć do której zaprogramowania potrzebne jest specjalne urządzenie, zwane programatorem PROM (PROM Programmer albo PROM Burner). Pamięci tego typu montowane są zazwyczaj w obudowie ceramicznej ze szklanym "okienkiem" umożliwiającym skasowanie poprzez naświetlanie ultrafioletem.

EEPROM (ang. Electrically Erasable Programmable ROM) - pamięć kasowalna i programowalna elektrycznie. Wykonywana w różnych postaciach (np. jako FLASH), różniących się sposobem organizacji kasowania i zapisu.

Flash EEPROM - kasowanie, a co za tym idzie także zapisywanie odbywa się tylko dla określonej dla danego typu liczby komórek pamięci jednocześnie podczas jednej operacji programowania.

RAM (ang. Random Access Memory - pamięć o dostępie swobodnym) - podstawowy rodzaj pamięci cyfrowej.

W pamięci RAM przechowywane są aktualnie wykonywane programy i dane dla tych programów oraz wyniki ich pracy. Zawartość większości pamięci RAM jest tracona kilka sekund po zaniku napięcia zasilania, niektóre typy wymagają także odświeżania, dlatego wyniki pracy programów muszą być zapisane na innym nośniku danych.

Pamięci RAM dzieli się na pamięci statyczne (ang. Static RAM, w skrócie SRAM) oraz pamięci dynamiczne (ang. Dynamic RAM, w skrócie DRAM). Pamięci statyczne są szybsze od pamięci dynamicznych, które wymagają ponadto częstego odświeżania, bez którego szybko tracą swoją zawartość. Pomimo swoich zalet są one jednak dużo droższe i w praktyce używa się pamięci DRAM.

Podział pamięci RAM

Rozróżniamy dwa podstawowe rodzaje pamięci RAM:

Pamięci statyczne - SRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięci jest bistabilny przerzutnik asynchroniczny typu RS. Komórki wykonywane były dawniej w technologii bipolarnej, obecnie stosuje się specjalne układy MOS. Informacja w tych pamięciach jest utrzymywana dopóty, dopóki nie zostanie zastąpiona inną lub napięcie zasilające nie zostanie odłączone.

Pamięci dynamiczne - DRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięciach są pojemności wejściowe tranzystorów typu MOS, które gromadzą ładunek, lub go odprowadzają. Istnieje konieczność odświeżania tego typu pamięci w celu uzupełniania ładunku, który dosyć szybko zanika. Do poprawnej pracy tej pamięci nie wystarczy więc tylko podłączenie go do zasilania, w przypadku braku częstych cykli zapisu lub odczytu, zawartość komórki zostałaby stracona.

8. Wymienić po 2 przykłady bloków funkcjonalnych sekwencyjnych i kombinacyjnych:

Kombinacyjne bloki funkcjonalne:

-Bloki arytmetyczne

-Bloki komutacyjne

Sekwencyjne bloki funkcjonalne:

-Rejestry

-Liczniki

9. Rozrysować przebiegi sygnału licznika 3 bitowego modulo 2:

Licznik asynchroniczny modulo 2 jest realizowany przez projekt 'Liczniki' po podaniu wartości "00" na port 'wybierz'. Działanie jego polega na zliczaniu imulsów wejściowych do dwóch, tzn. wynikiem zliczania jest wartość 0 lub 1 zapisana w postaci bitowej (0 = "00", 1 = "01") na portach wyjściowych.

0x01 graphic

10. Narysować charakterystyki jakiś dwóch filtrów i zaznaczyć znaczące punkty na nich:



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
03.opracowanie zagadnień, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Podstawy Elektrotermii. Wykład
11 Silnik indukcyjny pierścieniowy SUHf, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Maszyny Elektryczne.
Dioda-wiad ogolne, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laborator
Tranzystor bipolarny-gac, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. La
Mechanika i mechatronika zaliczenie SV, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Mechatronika. Wykład,
Zagadnienia 2011, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Komputeryzacja Projektowania w Elektronice.
Tranzystor Bipolarny - Moje, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika.
adamska ściąga, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektroenergetyka. Ćwiczenia
Badanie przebiegu czasowego e, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Maszyny Elektryczne. Laborator
Badanie transformatora trójfazowego - z, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Maszyny Elektryczne.
Badanie transformatora trójfazowego - i, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Maszyny Elektryczne.
Badanie przebiegu czasowego a, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Maszyny Elektryczne. Laborator
elektra1, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laboratorium, 02.
trans1, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laboratorium, 02. Tr
wszystkie pytania, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Wykład, P
el.6, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laboratorium, 02. Tran
Eleny Paszylk wszystko, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektroenergetyka. Laboratorium, Prze
laborki - bipolarny, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. Laborat

więcej podobnych podstron