POLITECHNIKA LUBELSKA W LUBLINIE |
Laboratorium elektroniki |
||||||
|
Ćwiczenie Nr 2 |
||||||
Nazwisko: Kacprzak |
Imię: Joanna
|
Grupa Edi 4.2
|
Semestr 4 |
Rok akademicki 1998/99 |
|||
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora. |
Data wykonania 08.03.1999 |
Ocena |
1.Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.
Po ustawieniu wartości napięcia zasilacza na napięcie UCE równe 0.5V i odczytano wartość prądu bazy IBmin=1,5 mA na granicy nasycenia. Schemat przeprowadzonych pomiarów przedstawiono poniżej.
2.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.
Korzystam z układu pomiarowego (powyżej) i IBmin=1,5 mA, uzupełniam tabelę wielokrotnościami IBmin i wartościami napięć Uz.
Tabela 1
KF [-] |
IB [mA] |
UZ[V] |
1 |
1,5 |
0,5 |
2 |
3 |
0,4 |
4 |
6 |
0,34 |
8 |
12 |
0,27 |
16 |
24 |
0,03 |
3. Praca tranzystora w układzie przełącznika.
3.1 Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.
Następnie reguluję amplitudę wyjściową generatora, aby uzyskać wartości współczynnika przesterowania tej tabeli.
Później dla każdej wartości współczynnika przesterowania odczytuję:
Czas opóźnienia td
Czas narastania tn
Czas przeciągania tp
Czas opadania to.
Tabela 2
Kf [-] |
UZ [V] |
t d [μs] |
t n [μs] |
t p [μs] |
t o[μs] |
1 |
2 |
40 |
40 |
240 |
120 |
2 |
1,4 |
20 |
20 |
220 |
140 |
4 |
1,5 |
40 |
40 |
230 |
120 |
8 |
1 |
30 |
30 |
200 |
110 |
16 |
1,1 |
20 |
20 |
210 |
120 |
3.2. Praca przy przesterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączania tranzystora.
Do poprzedniego układu dołączam kondensator CB o pojemności 100pF lub 500pF. Pomiary czasów umieszczam w tabeli 3:
CB |
KF |
td |
tn |
tp |
to |
[pF] |
[-] |
[μs] |
[μs] |
[μs] |
[μs] |
100 |
1 |
20 |
20 |
140 |
20 |
|
2 |
100 |
10 |
120 |
30 |
|
4 |
20 |
20 |
130 |
40 |
|
8 |
20 |
20 |
110 |
40 |
|
16 |
10 |
10 |
120 |
20 |
500 |
1 |
10 |
10 |
120 |
20 |
|
2 |
0 |
0 |
140 |
0 |
|
4 |
10 |
10 |
120 |
40 |
|
8 |
10 |
10 |
140 |
20 |
|
16 |
10 |
10 |
140 |
20 |
3.3. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.
Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystora.
UCeodc=11V
EB=5V
UCE=1.5V
IWE=1mA
Wyznaczam wartości napięć sterujących, a współczynnik przesterowania osiągnął założoną wartość. Korzystam z poprzedniego punktu.
KF |
IWE |
UZ |
[-] |
[mA] |
[V] |
1 |
1 |
12 |
2 |
2 |
8,6 |
4 |
2,1 |
7 |
8 |
3,2 |
7,1 |
16 |
4 |
5,6 |
3.4 Wyznaczenie wartości czasów przełączania.
K |
UZ |
td |
tn |
tp |
to |
[-] |
[V] |
[μs] |
[μs] |
[μs] |
[μs] |
1 |
1,6 |
0 |
0 |
160 |
100 |
2 |
1,4 |
20 |
20 |
150 |
80 |
4 |
1,8 |
20 |
20 |
160 |
60 |
8 |
2 |
20 |
20 |
280 |
65 |
16 |
0,6 |
0 |
0 |
260 |
60 |
4.Wnioski:
Ze wzrostem współczynnika przesterowania tranzystor jest załączany szybciej i podczas, gdy czas tn maleje to rośnie czas tp. Czas opóźnienia td nie zależy od współczynnika przesterowania, jego wartość jest dla wszystkich pomiarów powinna równać się zero.
Dzięki dodatkowej zaporowej polaryzacji bazy uzyskano polepszenie parametrów wyjściowych tranzystora. Uległy skróceniu czasy tn, tp, to.