1. Przebieg ćwiczenia

W trakcie ćwiczeń laboratoryjnych badałem tranzystor 2N3055.Celem było wyznaczenie rodzin charakterystyk wejściowych i przejściowych dla U_ce=5, 10 i 15V-tu odczytywałem wartości I_b, U_be i I_c , oraz rodziny charakterystyk wyjściowych dla Ib=2000, 3000 i 4000μA-aby je wyznaczyć musiałem zanotować wartości U_ce i I_c. Na podstawie otrzymanych wyników wykonałem wykresy na papierze milimetrowym A3 z których (wykres charakterystyk wyjściowych) wyznaczyłem współczynnik β

Badanie charakterystyk wyjściowych tranzystora 2N 3055 Ic = If

Ib= 2000[µA]
Uce [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
Uce [V]	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,473	0,6	0,68	1	2,05	2,96	5,01	9,76	12,03	15
Ic [µA]	10	44	96	149	207	244	292	304	310	317	322	331	357	370	387
Ib= 3000[µA]
Uce [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
Uce [V]	0,053	0,1	0,215	0,302	0,415	0,48	0,64	0,73	0,98	2,05	3,1	5,25	10	11,9	15,1
Ic [mA]	15	78	130	150	375	432	472	480	486	497	505	517	533	538	545
Ib= 4000[µA]
Uce [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
Uce [V]	0,044	0,115	0,22	0,3	0,41	0,51	0,62	0,71	1,05	2	3	5	10	12	15
Ic [mA]	24	65	145	198	261	361	396	496	547	555	563	577	608	625	641

.

Badanie charakterystyk wyjściowych tranzystora 2N 3055 IB = f(UBE)
Badanie charakterystyk przejściowych tranzystora 2N 3055 IB = f(IB)
UCE=5[V]
IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,52	1,1	2,01	3,09	3,92	5	6,01	8,63	8,97	9,93
UBE	0,587	0,678	0,75	0,885	0,781	0,806	0,795	0,813	0,708	0,746
IC [mA]	131	244	378	521	645	733	830	900	1030	1090
UCE=[10]
IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,4	0,94	1,92	3,08	4,05	4,94	6,02	7,99	8,99	9,92
UBE	0,434	0,486	0,528	0,872	0,764	0,812	0,716	0,776	0,685	0,72
IC [mA]	132	272	439	545	665	751	849	994	1050	1110
UCE=15[V]
IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,36	0,92	1,95	3,09	3,92	4,96	6	8,02	8,98	9,93
UBE	0,435	0,494	0,519	0,86	0,92	0,782	0,77	0,75	0,692	0,72
IC [mA]	131	273	459	565	660	770	860	1000	1066	1120

Odczytane warcości Ice z wykresu odpowiednio dla każdego Ib oraz obliczone wartości ß
Uce [V]	Ice dla Ib= 2000[µA]	ß	Ice dla Ib= 3000[µA]	ß	Ice dla Ib= 4000[µA]	ß
0,8	310	155	470	157	505	126
1,6	315	158	495	165	540	135
2,4	320	160	500	167	555	139
3,2	325	163	508	169	568	142
4	328	164	515	172	570	143
4,8	330	165	518	173	572	143
5,6	335	168	520	173	580	145
6,4	340	170	523	174	585	146
7,2	345	173	525	175	590	148
8	350	175	530	177	595	149
8,8	355	178	530	177	602	151
9,6	360	180	532	177	605	151
10,4	365	183	535	178	632	158
11,2	370	185	538	179	640	160

Wnioski:

Charakterystyka wyjściowa:

Pokazuje nam oddziaływanie prądu bazy na prąd kolektora. Zwiększając niskie napięcie U_CE małymi wartościami możemy zaobserwować dużą różnicę prądu I_C. Różnice te są tym większe im większe jest napięcie I_B, które zostało podane do tranzystora podczas badania charakterystyki wyjściowej. Przy większych wartościach napięcia U_CE różnice już nie są tak duże, przyrost prądu I_C jest zdecydowanie mniejszy.

Na podstawie wyznaczonej β z charakterystyki wyjścia można zauważyć, że wzmocnienie prądowe rośnie wraz ze wzrostem napięcia U_CE ale jednocześnie jest mniejsze wraz ze wzrostem podanego prądu bazy I_B.

Charakterystyka wejściowa:

Podobna jest do charakterystyki wyjściowej jednakże przyrost napięcia U_BE przy małych wartościach nie jest taki nagły, funkcja jest gładsza. Charakterystyka przyjmuje większe wartości oraz różnice napięć U_BE dla mniejszych napięć U_CE.

Charakterystyka przejściowa:

Można stwierdzić że prąd kolektora jest proporcjonalny do prądu bazy I_C=I_B Charakterystyki są prostymi o nachyleniu β.

---