M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych, IMiR - st. inż, elektra, elektra M5


I Program ćwiczenia:

  1. Obserwacja na oscyloskopie charakterystyk I=f(U) dla diody, diody Zenera, tyrystora typu SCR.

  2. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego I=f(U) przy I=const.

II Sprawozdanie

  1. Schematy i opis układów pomiarowych.

  2. Wyniki pomiarów, obliczenia.

0x01 graphic
Symbol diody Zenera (A - anoda, K - katoda).

Dioda Zenera - rodzaj diody półprzewodnikowej, w której wykorzystuje się zakrzywienie charakterystyki prądowo-napięciowej (złącze p-n) w obszarze przebicia. Po przekroczeniu napięcia przebicia ma miejsce nagły, gwałtowny wzrost prądu. W kierunku przewodzenia anoda zachowuje się jak normalna dioda, natomiast przy polaryzacji zaporowej katoda może przewodzić prąd po przekroczeniu określonego napięcia na złączu, zwanego napięciem przebicia. Napięcie przebicia jest praktycznie niezależne od płynącego prądu i zmienia się bardzo nieznacznie nawet przy dużych zmianach prądu przebicia (dioda posiada w tym stanie niewielką oporność dynamiczną).

Podstawowym zastosowaniem diody Zenera jest źródło napięcia odniesienia, ponadto używana bywa do przesuwania poziomów napięć oraz jako element zabezpieczający i przeciwprzepięciowy (transil).

Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie p-n-p-n. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektroda przyłączona do warstwy środkowej - bramką (G, od ang. gate - bramka).

Z Wikipedii

Skocz do: nawigacji, szukaj

Tranzystor bipolarny - tranzystor, który zbudowany jest z trzech warstw półprzewodników o różnym rodzaju przewodnictwa, tworzących dwa złącza PN; sposób polaryzacji złącz determinuje stan prac tranzystora.

Tranzystor posiada trzy końcówki przyłączone do warstw półprzewodnika, nazywane:

Ze względu na kolejność warstw półprzewodnika rozróżnia się dwa typy tranzystorów: pnp oraz npn; w tranzystorach npn nośnikiem prąduelektrony, w tranzystorach pnp dziury.

Uproszczona struktura i symbol tranzystora npn

Uproszczona struktura i symbol tranzystora pnp

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic
0x01 graphic
0x01 graphic
0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych, AGH, MiBM - I rok, Elektrotechnika, Spraw
M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych
M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych, edu, Elektro Lab
M5 Sprawko, IMiR - st. inż, elektra, elektra M5
Pytania kolokwium, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, III rok, energetyka, kolokwium
Strzałka ugięcia, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, Maszyny i urządzenia transportowe
pomiar, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, Maszyny i urządzenia transportowe
Untitled 1, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, Maszyny i urządzenia transportowe
tabliczka teczka, IMiR - st. inż
Podstawowe elementy elektroniczne
CHARAKTERYSTYKA PODSTAWOWYCH ELEMENTÓW RYNKU
charakteystyka podstawowych elementów rynku, Ekonomia, ekonomia
liny, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, Maszyny i urządzenia transportowe
PLYNY4, IMiR - st. inż, mechanika płynów, sprawka
Untitled 20, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, Maszyny i urządzenia transportowe
Mechanika plynow spr 5, IMiR - st. inż, mechanika płynów, sprawka
Projekt stalowe 3, IMiR - st. inż, sem.6 od sołtysa, III rok, konstrukcje stalowe, projekt 3
terma sprawko termometry mod, IMiR - st. inż, terma imir
terma sprawko, IMiR - st. inż, terma imir

więcej podobnych podstron