Laboratorium podstaw elektroniki Tranzystor w ukadzie wzmacniacza |
Wstp
Tematem wiczenia s wasnoci wzmacniacza jednostopniowego, pasmowego z tranzystorem bipolarnym.
Podczas wicze poddalimy badaniom wzmacniacz zoony na podstawie wykonanego wczeniej projektu wstpnego polegajcego na dopasowaniu opornika kolektora, oraz cewki wyjciowej do zaoonego wzmocnienia napiciowego i dolnej czstotliwoci granicznej.
Aparatura przeznaczona do przeprowadzenia pomiarów
wkadka charakterograficzna XY dwukanaowa SN7212
generator sinusoidalny przestrajany SN2013
przetwornik wartoci szczytowej ac/dc SN5011
wskanik poziomu napicia ac SN6011
przecznik czterokanaowy dc SN4022
przecznik dwukanaowy ac SN4211
generator skoku jednostkowego SN1011 jako opcja
Obliczenia wstpne, projekt:
ukad badany
Dane dla tego ukadu
Obliczenia i wnioski
W wykonanym projekcie uzyskaem wartoci Rc=3.3k, oraz C2=28nF.
Niestety obliczenia zostay przeprowadzone z bdem polegajcym na niewaciwym podejciu do zagadnienia zwizanego z obliczeniem wspomnianych wielkoci.
Waciwa warto dla Rc dla zakadanego Ku=10 jest obliczana ze wzoru:
gdzie 
na podstawie tablicy, a 
, a wic 
.
Natomiast warto C2 winna zosta obliczona na podstawie wzoru
i wynosi 
co jak wida zmienio wynik o 1nF w stosunku do zakadanego.
Przebieg wiczenia laboratoryjnego
Do badania zostaa uyta rezystancja RC=3k3, oraz C2=22nF co powinno da wyniki w postaci: KU=6, oraz fd=70
Natomiast z oblicze praktycznych uzyskalimy wynik KU=45, gdy Uwy=0.59V, a Uwe=13mV co dao wanie takie wzmocnienie.
Wedug wzoru rezystancja RC powinna mie warto okoo 25k.
Mog jeszcze zakada, e le oceniem na podstawie mao czytelnych danych odczytanych z rezystora uytego w dowiadczeniu i zamiast rezystancji 2k5 wykorzystana zostaa rezystancja 25k co wydaje si prawdopodobne.
Jako pierwsza badana bya charakterystyka statyczna przejciowa wzmacniacza.
Uzyskana charakterystyka za pomoc urzdze DN011A, SN7212, oraz oscyloskopu zostaa zilustrowana w nastpujcy sposób:
Idc wzdu osi X, od 0 do 600mV charakterystyka wykazuje stan zatkania tranzystora. Od 600mV do 1V mamy doczynienia ze stanem przewodzenia, a powyej nasycenia tranzystora.
Nastpnie wykonany zosta pomiar wzmocnienia kU tranzystora.
Otrzymalimy Uwe=0.013V, oraz Uwy=0.59V co dao - jak wspomniaem powyej - warto 45
Nastpnym krokiem by pomiar pasm czstotliwoci, w wyniku którego otrzymalimy wyniki fd=88Hz, oraz fg=53.5kHz przy wartoci 0.7086V i spadku standardowym 3dB.
Jak zauwaylimy maa czstotliwo powodowaa wyprzedzanie fazy, w miar zbliania si do wartoci rednich rónice si zacieray, a przy duych czstotliwociach nastpowao jej opónienie.
Pod koniec wicze udao nam si jeszcze przeprowadzi pomiary skadajce si na charakterystyk czstotliwociow tranzystora dla wartoci górnej i dolnej.
Przedstawione charakterystyki zostay uchwycone (dla górnych czstotliwoci caa charakterystyka z widocznym spadkiem, dla dolnych tylko cz spadkowa charakterystyki) dla górnych i dolnych czstotliwoci.
Wnioski
Z pierwszego punktu wiczenia mona wywnioskowa - co powtórz - e wraz ze wzrostem napicia odoonego na osi X, od 0 do 600mV charakterystyka wykazuje stan zatkania tranzystora. Od 600mV do 1V mamy doczynienia ze stanem przewodzenia, a powyej nasycenia tranzystora. Na tym te polega nieliniowo tej charakterystyki.
Oba zakresy poza rodkowym okrelaj stan w którym tranzystor, mona powiedzie nie przewodzi. W miar wzrostu sygnau wejciowego, wzmocnienie sygnau wyjciowego sabnie do niskiego poziomu.
Aby tranzystor si nie nasyci, sygna wejciowy powinien by moliwie may, aby osign due wzmocnienie, ale te na tyle duy, aby nie przechodzi w stan zatkania. Czyli najlepiej zastosowa poziom sygnau wejciowego i utrzyma go po rodku drugiego przebiegu.
Jak ju wspomniaem, komentujc rónice wartoci uzyskanego wzmocnienia pomidzy projektem, wartoci stosowan, a uzyskan, w pierwszym przypadku rónice te polegay na pomyce w stosowanych metodach oblicze, w przypadku drugim znaczna odchyka moga zosta spowodowana uyciem rezystancji o rzd wielkoci wikszej ni zostao to zapisane na karcie z wynikami, co jak ju wspomniaem mogo wynikn z uwagi na nieco przetarte oznaczenia na rezystorach.
Po dokadnym przeanalizowaniu badanego (projektowanego) ukadu mog chyba powiedzie, e uzyskane wyniki byyby zgodne z zaoeniami, gdyby nie wynikny przytoczone we wnioskach i opisie wiczenia bdy i przekamania wyników.
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
Elektronika - Podstawowe parametry wzmacniacza operacyjnego, Politechnika Opolska, sprawozdania, zac
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniajÄ…cych v4, Politechnika Lubelska
Elektronika - Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych - układy liniowe, Politechnika Opolska, sprawozd
Elektronika - Tranzystor w układzie wzmacniacza, Wydź.EL.
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniajÄ…cych v3, Politechnika Lubelska, Elektrotechnika inĹĽ, ROK 3,
Tranzystor bipolarny-gac, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. La
Elektronika - Przetwornice prądu stałego, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachomikowane, Elektro
Elektronika - Układy próbkująco-pamiętające, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachomikowane, Elek
Elektronika - Badanie cyfrowych bramek logicznych, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachomikowane
Tranzystor Bipolarny - Moje, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika.
Analiza widma, ANALIZA, WYDZIAË™ AUTOMATYKI, ELEKTRONIKI I INFORMATYKI
Elektronika - Układy logiczne cz 2, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachomikowane, Elektronika i
Elektronika - Przetworniki anologowo-cyfrowe, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachomikowane, Ele
Tranzystor bipolarny - Jezus, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika
Elektronika - Generatory napięcia liniowo narastającego, Politechnika Opolska, sprawozdania, zachom
Elektronika - Stabilizator napiecia stałego o działaniu nieciągłym, Politechnika Opolska, sprawozdan
więcej podobnych podstron