II. Przebieg pomiarów.

Mając rozrysowany układ, zmontowaliśmy go. Ćwiczenie dzieli się na dwie części. W pierwszej dla stałego I_B = 50μA; 75μA; 100μA mierzyliśmy dla zmieniających się wartości U_CE wartość natężenia na kolektorze. W drugiej części mierzyliśmy zmieniające się natężenie na kolektorze dla zmieniającego się I_B przy stałym U_CE = 1V; 3,5V; 6V.

III. Opracowanie wyników pomiarów.

Dla obydwu przypadków sporządzamy wykresy rodziny charakterystyk:

I_C = f(U_CE) i I_C = f(I_B). Mając sporządzone wykresy mogę przystąpić do obliczeń parametrów tranzystora:

a). 1/r_w = ΔI_C/ΔU_CE dla I_B = const.

Otrzymana przeze mnie wartość średnia z trzech przypadków wynosi:

1/r_w = 34,72;

b). β = ΔI_C/ΔI_B dla U_CE = const.

β = 229,17

IV. Wnioski.

Na wykresach zaznaczyłem wielkości błędów pomiarowych na podstawie klasy przyrządów. Wielkości te jednak mimo iż wydają się stosunkowo małe nie odzwierciedlają właściwie możliwego błędu. W trakcie wykonywania ćwiczenia napotkaliśmy spore trudności z właściwym ustawianiem odpowiednich wielkości. Przeskoki zmienianej stopniowo wielkości czasami sięgały wielokrotności poprzedniej wartości. Niektóre po prostu spisane są dla najbliższej jaką udało się nam ustawić. Spotkać czasami można było się z zaskakującym zerowaniem się licznika. Otrzymana przeze mnie wartość β = 229 nie jest wartością niemożliwą, nawet wydaje się całkiem właściwa lecz na ile jest prawdziwa trudno mi stanowczo stwierdzić.

---