!!!zestawy!!!-prp, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronika i Elektrotechnika, ELEKTRArok 2, elektra od kamaza, na pewno


Zestaw 1

1.Tranzystory unipolarne MOS: rodzaje, symbole graficzne, zasada działania i podstawowe właściwości.

2.Narysować schemat prostownika dwupołówkowego z filtrem pojemnościowym (kondensatorem zbiorczym) i przebieg napięcia właściwego, napięcia na obciążeniu, napięcia na jednej z diod.

3.Narysować schemat układu różniczkującego ze wzmacniaczem operacyjnym. Narysować przebiegi napięć wejściowe i wyjściowego przy sterowaniu układu napięciem trójkątnym.

4.Narysować i omówić przebieg napięcia wyjściowego klucza z tranzystorem MOSFET z indukowanym kanałem n w układzie wspólne źródło, sterowanego napięciem prostokątnym.

5.Jaką rolę pełnią kolejne tranzystory w układzie standardowej bramki NAND TTL.

Zestaw 2

1.Narysować charakterystykę I(U) krzemowego złącza p-n, wyjaśnić jej przebieg; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne złącza.

2.Narysować schemat wzmacniacza RC i jego charakterystyki: Uwy (Uwe ) oraz ku(f); jakie elementy decydują o przebiegu tych .

3.Narysować schemat generatora z mostkiem Wiena; jakie są warunki generacji i zasady działania tego układu.

4.Wyjaśnić pojęcie czasów propagacji i bramki logicznej, podać rząd wartości tego parametru dla współczesnych bramek logicznych.

5.Narysować schemat bramki trójstanowej, omówić jej działanie i zastosowanie?

Zestaw 3

1.Różne rodzaje diod półprzewodnikowych: diody prostownice, detekcyjne i impulsowe.

2.Czym różni się wzmacniacz prądu stałego od wzmacniacza prądu zmiennego? Co to jest dryft, podać metody jego zmniejszania.

3.Narysować schemat generatora Meissnera: omówić warunki generacji i zasadę działania.

4.Narysować i omówić przebieg napięcia wyjściowego klucza z tranzystorem bipolarnym npn w układzie wspólny emiter, sterowanego napięciem prostokątnym.

5.Co to są dynamiczne bramki MOS (zasada działania schemat inwertera)

Zestaw 4

1.Charakterystyka I(U), właściwości i zastosowanie diod Zenera; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne takich diod.

2.Narysować schemat wzmacniacz nieodwracającego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego podstawowe parametry. Jakie sprzężenie zwrotne zastosowano w tym układzie.

3.Budowa i własności układu aproksymującego charakterystykę nieliniową odcinkami linii prostej.

4.Wyjaśnić pojęcia gwarantowanego i typowego marginesu zakłóceń, czy wartość marginesu zakłóceń całkowicie określa odporność na zakłócenia?

5.Narysować schemat i omówić działanie diodowych bramek sumy i iloczynu oraz prostego, tranzystorowego układu negacji.

Zestaw 5

1.Sposób prawidłowej polaryzacji złącz tranzystora bipolarnego p-n-p i n-p-n w układzie OE (rysunek); charakterystyka wejściowa tranzystora w tym układzie; dlaczego tranzystory najczęściej pracują w układzie OE.

2.W jaki sposób w układach scalonych wytwarza się w jednym przewodzącym podłożu dwa tranzystory tak; aby były odizolowane od siebie elektrycznie?

3.Narysować schemat wzmacniacza różnicowego (symetrycznego) i podać zasadę działania.

4.Omówić wpływ rezystancji wyjściowej układu na odporność układu na zakłócenia.

5.Wyjaśnić zasadę działania bramek ECL, dlaczego bramki te mają bardzo krótkie czasy propagacji?

Zestaw 6

1.Carakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie OE kiedy jest w stanie aktywnym, nasycenia, odciętym. Jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne tranzystora.

2.Prostownik jednopołówkowy z filtrem pojemnościowym (kondensatorem zbiorczym) Schemat i wykresy napięcia wejsćiowego, napięcie na diodzie, na obciążeniu, prądu diody prostowniczej.

3.Wzmacniacz operacyjny z układem całkującym, sterowanie przebiegiem prostokątnym. Narysować napięcie wyjściowe w funkcji czasu.

4.Parametry bramek logicznych, wymienić.

5.Bramki NAND i NOR w technologi CMOS. Właściwości układów CMOS.

Zestaw 7

1.Charakterystyka I(U), właściwości i zastosowanie diod Zenera; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne takich diod.

2.Zależność prądu kolektora tranzystora bipolarnego od prądu bazy (wzór i charakterystyka); co to jest współczynnik alfa i współczynnik beta; zależność miedzy tymi współczynnikami.

3.Narysować schemat układu ogranicznika dwustronnego U+=5V i U-=-8V. Narysować przebiegi napięć wejściowego i wyjściowego przy sterowaniu układem napięciem sinusoidalnym o amplitudzie 10V(bez składowej stałej)

4.Co to jest wtórnik emiterowy, wyprowadzić wzór na rezystancję wyjściową wtórnika.

5.Wyjaśnić zasadę działania układów (tranzystora) TTL Shottky.

Zestaw 8.

1.Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym; jak wybiera się położenie spoczynkowe punktu pracy tranzystora?; kiedy wzmacniacz jest przesterowany i jakie są objawy przesterowania?

2.W jakim celu budowane są stabilizatory napięcia stałego? Jakie są podstawowe własności takich stabilizatorów.

3.Narysować schemat multiwibratora astabilnego; omówić w nim warunki generacji oraz zasadę działania.

4.Jakie są zakresy napięć dla poziomów logicznych na wejściach i wyjściach układów TTL, jak z poziomami logicznymi związany jest gwarantowany margines zakłóceń?

5.Narysować schemat elektryczny standardowej bramki NAND TTL, wyjaśnić jej działanie.

Pytania egzaminacyjne z Elektroniki: Elementy elektroniczne.

1. Narysować charakterystykę I(U) krzemowego złącza p-n, wyjaśnić jej przebieg; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne złącza.

2. Różne rodzaje diod półprzewodnikowych: diody prostownicze, detekcyjne i impulsowe: zastosowania i podstawowe właściwości.

3. Charakterystyka I(U), właściwości i zastosowania diod Zenera; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne takich diod.

4. Diody pojemnościowe i tunelowe: charakterystyki, zastosowania i właściwości.

5. Sposób prawidłowej polaryzacji złącz tranzystora bipolarnego p-n-p i n-p-n w układzie OE (rysunek); charakterystyka wejściowa tranzytora w tym układzie; dlaczego tranzystory najczęściej pracują w układzie OE.

6. Zależność prądu kolektora tranzystora bipolarnego od prądu bazy (wzór i charakterystyka); co to jest współczynnik a i współczynnik P; zależności między tymi współczynnikami.

7. Charakterystyka wyjściowa tranzystora w układzie OE; kiedy tranzystor jest w stanie aktywnym, a kiedy w stanie odcięcia lub nasycenia?; jakie parametry ograniczają możliwości eksploatacyjne tranzystora.

8. Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym; jak wybiera się położenie spoczynkowego punktu pracy tranzystora'?; kiedy wzmacniacz jest przesterowany i jakie są objawy przesterowania?

9. Parametry i małosygnałowy elektryczny układ zastępczy tranzystora dla sygnałów zmiennych.

10. Zależność możliwości wzmacniających tranzystora bipolarnego (współczynników a i p) od częstotliwości sygnału; l ł. Tranzystor unipolarny złączowy: symbol graficzny, zasada działania i podstawowe

właściwości.

12. Tranzystory unipolarne MOS: rodzaje, symbole graficzne, zasada działania i podstawowe właściwości.

13. Symbol graficzny, charakterystyka I(U) i sposoby włączania i wyłączania tyrystora.

14. Co to jest TRIAC i DIAC? Podać przykład zastosowania tych elementów.

15. W jaki sposób w układach scalonych wytwarza się w jednym przewodzącym podłożu dwa tranzystory tak, aby były odizolowane od siebie elektrycznie?

16. W jaki sposób w układach scalonych wytwarza się elementy inne niż tranzystory?

17. Fotodioda półprzewodnikowa: właściwości, charakterystyki i sposoby pracy.

18. Jakie mają właściwości i czym się od siebie różnią: fotorezystor, fototranzystor i fototyrystor?

19. Schemat budowy transoptora; do czego stosowane są takie elementy?

20. Termistory i gausotrony: właściwości.

21. Warystory i hallotrony: właściwości.

22. Schemat prostownika dwupołówkowego z filtrem pojemnościowym (kondensatorem zbiorczym); przebieg napięcia wejściowego (z transformatora), napięcia na obciążeniu, napięcia na jednej z diod prostowniczych i prądu jednej z diod prostowniczych.

23. Schemat prostownika dwupołówkowego z filtrem indukcyjnym; przebieg napięcia wejściowego (z transformatora) i napięcia na obciążeniu; celowość stosowania prostowników z takim filtrem;

24. W jaki sposób i w jakim celu budowane są stabilizatory napięcia stałego; jakie są podstawowe właściwości takich stabilizatorów?

1. Zapisać liczbę 113 w kodzie binarnym, BCD i Graya oraz liczbę -l13 w zapisie uzupełnień do 2. Wszystkie kody przedstawić w zapisie zero-jedynkowym i w zapisie heksadecymalnym.

2. Omówić właściwości tranzystora bipolarnego w zakresie odcięcia i nasycenia.

3. Narysować i omówić przebieg napięcia wyjściowego klucza z tranzystorem bipolarnym npn w układzie wspólny emiter, sterowanego napięciem prostokątnym.

4. Narysować i omówić przebieg napięcia wyjściowego klucza z tranzystorem MOSFET z indukowanym kanałem n w układzie wspólne źródło, sterowanego napięciem prostokątnym.

5. Omówić przebieg charakterystyk wyjściowych tranzystora MOSFET (dlaczego w pewnym zakresie są strome, a w innym płaskie).

6. Wyjaśnić pojęcie czasów propagacji bramki logicznej, podać rząd wartości tego parametru dla współczesnych bramek logicznych.

7. Wyjaśnić pojęcie obciążalności bramek logicznych.

8. Wyjaśnić pojęcia gwarantowanego i typowego marginesu zakłóceń, czy wartość marginesu zakłóceń całkowicie określa odporność na zakłócenia?

9. Czy rezystancja wyjściowa układu wpływa na odporność układu na zakłócenia (uzasadnić)?

10. Jakie są zakresy napięć dla poziomów logicznych na wejściach i wyjściach układów TTL.

11. Narysować schemat i omówić działanie diodowych bramek sumy i iloczynu.

12. Narysować schemat elektryczny standardowej bramki NAND TTL, wyjaśnić jej działanie.

13. Jaką rolę pełnią kolejne tranzystory w układzie standardowej bramki NAND TTL.

14. Narysować typowe charakterystyki (wejściowe, przejściowe i wyjściowe) standardowej bramki TTL.

15. Co to są bramki trójstanowe (schemat), jakie jest ich zastosowanie?

16. Wyjaśnić zasadę działania układów TTL Shottky.

17. Wyjaśnić zasadę działania bramek ECL, dlaczego bramki te mają bardzo krótkie czasy propagacji?

18. Co to są dynamiczne bramki MOS (zasada działania - schemat inwertera).

19. Narysować schemat bramki NAND (lub NOR) w technologu CMOS, omówić jej działanie.

20. Zasada budowy bramek CMOS, wymienić właściwości układów CMOS.

1.Zdefiniować pojęcie wzmacniacza i podstawowe parametry wzmacniacza.

2.Omówić charakterystyki częstotliwościowe wzmacniacza, rodzaje, zastosowanie.

3.Zdefiniować pojęcia rezystancji wejściowej i wyjściowej wzmacniacza, jak je dobierać.

4.Co to są zniekształcenia nieliniowe wzmacniacza i od czego zależą?

5.Narysować charakterystykę Uwy(Uwe) wzmacniacza, omówić jej przebieg i zagadnienia z nią związane.

6.Narysować schemat wzmacniacza RC zasilanego z jednej baterii. Omówić układ zasilania wzmacniacza.

7.Od których elementów wzmacniacza i w jaki sposób zależy wzmocnienie napięciowe wzmacniacza RC.

8.Omówic przebieg charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza RC; od których elementów zależy dolna a od których górna częstotliwość graniczna.

9.Podać, od których elementów wzmacniacza RC zależy jego Rwe a od których Rwy.

10.W jaki sposób można łączyć wzmacniacze RC; narysować schemat dwustopniowego wzmacniacza RC i podać jego parametry.

11.Co to jest dryft we wzmacniaczu prądu stałego i od czego zależy.

12.Narysować schemat wzmacniacza różnicowego(symetrycznego) i podać zasadę działania.

13.Podać i omówić podstawowe parametry wzmacniacza operacyjnego.

14.Narysować schemat wzmacniacza nieodwracającego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

15. Narysować schemat wzmacniacza odwracającego ze wzmacniaczem operacyjnymi podać jego typowe parametry.

16. Narysować schemat wtórnika ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

17. Narysować schemat komparatora ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

18. Narysować schemat wzmacniacza różnicowego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

19. Narysować schemat układu sumującego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

20. Narysować schemat układu całkującego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

21. Narysować schemat układu różniczkującego ze wzmacniaczem operacyjnym i podać jego typowe parametry.

22.Zdefiniować pojęcie ujemnego sprzężenia zwrotnego i omówić jego wpływ na parametry wzmacniacza.

23.Zdefiniować pojęcia generacji i podstawowe parametry przebiegu generowanego.

24. Narysować schemat generatora Meissnera i omówić jego działanie.

25. Narysować schemat generatora z mostkiem Wiena i omówić jego działanie.

26.Narysować schemat i omówić jego działanie układu multiwibratora astabilnego.

27.Co to są układy przekształcające i do czego służą.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
PIII - teoria, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektro
elektra P4, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronik
elektra M4, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronik
jasiek pytania, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektr
M2, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronika i Elek
Wnioski do stanu jałowego trafo, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II
Elektra M-2spr, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektr
elektra M5, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronik
Transformator, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektro
Pomiary-protokół, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elek
elektra M6a, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektroni
Wnioski M2, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronik
pytania na egzamin z elektrotechniki ii ciag 1, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i
Tabele-elektraP1, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elek
elektra M4 tab, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektr
Sprawko z P2, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektron
elektra p1, Studia, SiMR, II ROK, III semestr, Elektrotechnika i Elektronika II, Elektra, Elektronik

więcej podobnych podstron