1. Rezystor o oznaczeniu liczbowym 682:

68*10^2

2. Szereg E24 (np) oznacza wartość tolerancji rezystancji lub pojemności równą:

E3 - 40%

E6 - 20 %

E12 -10%

E24 - 5%

E48 - 2%

E96 - 1%

E192 - 0,5%

3.Parametr kondensatora ESR (ESL) mówi o wartości jego pasożytniczej:

ESR (equivalent series resistance) – zastępcza rezystancja szeregowa Rs.

ESL (equivalent series inductance) – zastępcza indukcyjność szeregowa Ls i związana z nią resztkowa reaktancja indukcyjna XL=ωLs.

4.Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej kondensator w obwodzie elektronicznym zachowuje się jak:

Jak induktor

5.Po przekroczeniu częstotliwości rezonansowej induktor w obwodzie elektronicznym zachowuje się jak:

Jak cewka

6.Efekt naskórkowy związany jest z:

Efekt naskórkowy związany jest z nierównomiernym rozkładem prądu płynącego przez przewodnik. Ze

wzrostem częstotliwości największa gęstość (czasami całość) prądu występuje przy powierzchni zewnętrznej

przewodu. Wtedy wzrastają straty w przewodniku. Parametrem opisującym efekt naskórkowy jest głębokość

wnikania:

7.Na rys.xxx przedstawiono krzywą magnesowania materiału magnetycznego:

Wąska pętla: Ferromagnetyk miękki

Szeroka pątla histerezy :Ferromagnetyk twardy

8.Wzrost temperatury powoduje w przewodniku (półprzewodniku):

Przewodniki – wzrost temp. zmniejsza przewodnictwo – większa energia drgań jonów (wzrost rezystancji)

Półprzewodniki – wzrost temp. zwiększa przewodnictwo – więcej elektronów walencyjnych się uwalnia (wzrost

konduktywności)

9.Głównymi pierwiastkami wykorzystywanymi do budowy półprzewodników samoistnych są:

IV grupa układu okresowego: (węgiel, krzem, german, antymonek galu, arsenek galu, itd.)

10. Półprzewodnik typu N (P) powstaje poprzez domieszkowanie pierwiastka z IV grupy układu okresowego:

N -donorowa (pierwiastkiem pięciowartościowym) -gr. V: P – fosforem, As – arsenem, Sb – antymonem, Bi -

bizmutem

P -akceptorowa (pierwiastkiem trójwartościowym)- gr. III: B – borem, Al – glinem, Ga – galem, In - indem

11.Konduktywność półprzewodnika zależy od jego:

S-przekroju l-długosci ro-rezystywności materiału

12. Prąd całkowity w półprzewodniku jest sumą:

Całkowita gęstość prądu elektronów + Całkowita gęstość prądu dziur.

13.Analizując budowę złącza PN możemy wyróżnić następujące obszary:

14. Przy polaryzacji zaporowej złącza PN, wraz ze wzrostem napięcia wzrasta:

?????????????????????

15. Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia złącza PN wraz ze wzrostem napięcia wzrasta:

?????????????????????

16.Równanie Shockley’a ma postać:

17. Potencjał termiczny złącza w temperaturze pokojowej jest równy:

18.Napięcie dyfuzji krzemu wynosi w temperaturze pokojowej:

19.Działanie diod Zenera oparte jest o zjawiska:

????????????????

20. Pojemność złączowa złącza PN powstaje:

Pojemność złączowa – występuje przy polaryzacji wstecznej złącza PN

21.Pojemność dyfuzyjna złącza PN powstaje:

Pojemność dyfuzyjna – powstaje przy polaryzacji złącza PN w

kierunku przewodzenia. Związana jest z występowaniem w bazie

złącza (obszarach P i N) nadmiarowych nośników mniejszościowych

związanych ze zmianami (szybkimi) napięcia polaryzującego oraz

skończonym czasem życia nośników. Zmiana napięcia powoduje

zmagazynowanie na czas związany z czasem życia nośników, pewnej

liczby nośników mniejszościowych, które po wspomnianym czasie

rekombinują.

22.Współczynnik temperaturowy zmian napięcia złącza PN wynosi około:

Np.: dla I = 2mA, ze wzrostem temperatury napięcie na złączu spada o około 2mV/st.C

23. Złącze metal_półprzewodnik, wykorzystywane do budowy diod Schottky’ego, charakteryzuje się:

Właściwości złącza:

-mniejsze napięcie dyfuzyjne od złącza PN (około 0.3V)

- szybkie działanie ze względu na brak efektów bezwładnościowych

obserwowanych w złączu PN (szybkie oddawanie energii przez tzw.

elektrony gorące wpływające do metalu z półprzewodnika)

-duża stromość charakterystyki w zakresie przewodzenia

24.Charakterystyka statyczna diody półprzewodnikowej przedstawia zależność pomiędzy:

??/???Napięciem, prądem??????

25.Punkt pracy diody półprzewodnikowej określa:

??????????????????

26. Parametr diody półprzewodnikowej trr określa:

Czas powrotu trr (recovery time)

27.Jeżeli prąd w punkcie pracy diody półprzewodnikowej jest równy xx mA to jej rezystancja dynamiczna wynosi:

xx mA/1mA =xx Ohm

28.Dioda prostownicza charakteryzuje się:

- duża powierzchnia warstw zaporowych

- niewielkie częstotliwości pracy (głównie 50 lub 100

Hz); chyba, że szybkie np.. Schottkye’go

- szeroki zakres mocy dopuszczalnych

-stosowane głównie w układach zasilających do

prostowania prądów przemiennych

29. Diody detekcyjne i mieszające charakteryzują się:

Cechy charakterystyczne:

-szeroki zakres częstotliwości pracy: Hz – GHz

- bardzo mała powierzchnia złącz – małe pojemności: pF

-praca ze znacznie mniejszymi prądami w porównaniu do

diod prostowniczych.

Do grupy tej należą: diody ostrzowe germanowe lub

krzemowe, diody Schottkye’go, diody wsteczne.

30.Diody pojemnościowe to:

Warikap (VARiable CAPacitance) – dioda

o zmiennej pojemności do przestrajania obwodów

rezonansowych (BB113,109,105)

Waraktor (VARiable reaCTOR) – dioda o zmiennej reaktancji –

element nieliniowy stosowany w mikrofalach

31. Najlepszymi właściwościami charakteryzują się diody Zenera wykonane na napięcia pracy od 5.1V do 7.5V, ze względu na ich:

Rezystancja dynamiczna (10 ÷ 300Ohm)

– Minimalna dla Uz=7V5

Współczynnik temperaturowy (_5÷+15%/K)

– Zerowy dla UZ≈5V1

32.Diody tunelowe wykorzystuje się głównie do:

Dioda tunelowa wzmacnianie i generacja mikrofal

33.Diody wsteczne służą do:

- detekcja mikrofal

34.Diodę PIN stosuje się w układach elektronicznych w. cz. jako:

Zastosowania: - modulator amplitudy, klucz, tłumik

35.Dioda LED jest elementem elektronicznym:

emitującym światło??????

36. Fotodioda jest:

reagującym na światło????

37.Najmniejszymi stratami energii charakteryzują się transformatory sieciowe typu:

Blacha gorącowalcowana Rdzeń EI???

38.Rezystancja wewnętrzna uzwojenia wtórnego transformatora zależy od:

?????

39. Na rys. xx przedstawiono przebiegi napięć i prądów w prostowniku:

40.Wraz ze wzrostem pojemności filtrującej prostownika:

Gdy C rośnie •Maleją tętnienia ~1/nfCR0 !!!!

41. ‘Surge current’ jest to:

Prąd szczytowy włączania

42. ‘Power Factor (PF)’ określa:

PF – Power factor – współczynnik mocy

43.Zastosowanie w prostowniku filtru indukcyjnego:

Skutki: • Polepszenie filtracji – zmniejszenie tętnień • Znaczne Zmniejszenie zawartości

harmonicznych

• Większy koszt • Dławik musi być duży ze względu na jego nasycanie

44. Bardzo popularnym zastosowaniem niesymetrycznego powielacza napięcia (Villarda) jest:

Kuchnia mikrofalowa

45. Charakterystyka zadziałania bezpiecznika opisuje:

Charakterystyka zadziałania – opisuje zależność pomiędzy

szybkością zadziałania bezpiecznika a wartością prądu:

W bezpieczniki szybkie – krótkim czasie zadziałania,

stosowane w układach gdzie przekroczenie prądu

maksymalnego może uszkodzić układ

W bezpieczniki zwłoczne – zadziałanie bezpiecznika

nastepuje po przepływie prądu większego/równego prądowi

zadziałania przez określony czas; stosowane w układach

gdzie występuje tzw. prądy rozruchowe, dużo większe od

prądu pobieranego przez układy podczas pracy normalnej

46.Przedstawione na rys. xxx charakterystyki są charakterystykami tranzystora:

(bipolarny, polowy złączowy JFET, polowy z izolowaną bramką MOSFET)

47. Zaprezentowany na rys. xx symbol przedstawia tranzystor bipolarny: (NPN, PNP)

48.Tzw. obszar SOA jest to:

???????????

49.Prąd emitera tranzystora bipolarnego jest:

????????????

50.Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora β opisuje:

51.Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego jest zależny od:

Temperatury?????????????????????

52.Temperatura wpływa na następujące parametry tranzystora bipolarnego:

????????????????????

53. Punkt pracy tranzystora bipolarnego określa:

napięcie Baza-Emiter, i napięcie Kolektor-emiter?????????????

54.Hiperbola mocy określa:

???

55. Parametry modelu małosygnałowego tranzystora bipolarnego (hybryd π) zależą głównie od:

częstotliwości???????

56. Częstotliwość (pulsacja) graniczna fT (ωT) określa częstotliwość, przy której:

????????

57.Dla zakresu małych częstotliwości szumy tranzystora bipolarnego mają charakter:

Liniowy???????

58.Symbol na rys.xx przedstawia tranzystor polowy typu:

?????????

59.Liniowość zamykania się kanału tranzystora JFET zależy od wartości:

???

60. Punkt pracy tranzystora JFET określa:

???

61.Dla napięć i prądów stałych oraz bardzo małych częstotliwości prąd bramki tranzystorów polowych:

??????

62.Prąd Idss na charakterystyce tranzystora JFET określa:

oznacza zakres nasycenia

63.Napięcie –Up na charakterystyce tranzystora JFET określa:

napięcie progowe przy Id=0

64.W tranzystorze MOSFET wzbogacanym, przy braku polaryzacji bramki, kanał:

????

65.W tranzystorze MOSFET zubożanym, przy braku polaryzacji bramki, kanał:

????

66. Temperatura w tranzystorach polowych wpływa na:

a. Złączowe _ temperatura wpływa na prąd zerowy złącza

PN, powodując zmniejszanie się rezystancji wejściowej

tranzystora.

b. Temperatura wpływa na wartość UP – napięcie to

zmienia się ze wsp. Temperaturowym równym około –

2.3 mV/0C

c. Temperatura wpływa na ruchliwość nośników w

kanale. Wzrost temperatury – spadek ruchliwości –

spadek konduktancji wyjściowej i przejściowej

tranzystora, spadek częstotliwości granicznej

67.W układach polaryzacji tranzystora bipolarnego obecność rezystora emiterowego poprawia:

????

68.W układach polaryzacji tranzystorów polowych wzrost wartości rezystora źródłowego wpływa na:

????

69.Dolna częstotliwość wzmacniacza tranzystorowego zależy od:

????

70.Na wartość górnej częstotliwości wzmacniacza tranzystorowego wpływają głównie:

??

71.Zakres częstotliwości średnich wzmacniacza charakteryzuje się:

????

72.Podstawową funkcją wzmacniacza różnicowego jest:

??

73. Podstawowe wzmocnienia wzmacniacza różnicowego to:

Poszczególne wzmocnienia definiujemy następująco:

- wzmocnienie różnicowo - różnicowe (nazywane zazwyczaj wzmocnieniem różnicowym)

!- wzmocnienie różnicowo-sumacyjne (nazywane powszechnie wzmocnieniem sumacyjnym)

74.Współczynnik CMRR wzmacniacza różnicowego definiowany jest jako:

Najważniejszymi są wzmocnienia KUR i KUS. Są to parametry

charakterystyczne wzmacniacza różnicowego. Na ich podstawie określa

się dodatkowy parametr – współczynnik tłumienia sygnału sumacyjnego

CMRR (ang. Common Mode Rejection Ratio):

75. Liniowość wzmacniacza różnicowego poprawia się poprzez:

Aby zwiększyć liniowość wprowadza się sprzężenie zwrotne

dla sygnałów różnicowych zrealizowane na rezystorach Re

76. Źródła prądowe stosuje się w układach elektronicznych w celu:

Zastosowanie źródeł prądowych:

-zapewnienie przepływu stałego prądu przez obciążenie

źródła – niezależnie od wartości obciążenia,

-zapewnienie dużych wartości rezystancji dynamicznych

przy małych spadkach napięcia

77.We wzmacniaczu różnicowym źródła prądowe stosuje się w celu:

Zwiększenie KUR – zastąpienie rezystorów Rc

lustrem prądowym – obciążenie dynamiczne.

Zastosowanie – głównie technika scalona z

powodu trudności w realizacji dużych

rezystancji w strukturze układów scalonych.

78. Zalety i wady zastosowania we wzmacniaczach różnicowych tranzystorów

polowych zamiast bipolarnych to:

Zalety zastosowania tranzystorów unipolarnych:

- liniowość wzmacniacza |Uwemax| = (2÷5)V dużo większa niż

dla układu z tranzystorami bipolarnymi |Uwemax| = 52mV.

- dużo większa rezystancja wejściowa wzmacniacza w

porównaniu do rozwiązań z tranzystorami bipolarnymi

Wada:

- przy tych samych prądach polaryzacji wzmacniacz

zbudowany na tranzystorach polowych ma dużo mniejsze

wzmocnienie różnicowe ze względu na małą wartość gm.

79.Dodatnie sprzężenie zwrotne stosuje się głownie w:

Dodatnie SZ stosowane głównie w układach generacyjnych,

natomiast w układach wzmacniaczy, ze względu na swoje liczne

wady (głównie niestałość parametrów), stosowane bardzo rzadko,

zazwyczaj łącznie ze SZ–.

80.Do głównych zalet stosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego w układach

elektronicznych należą:

?????

81. Podstawową wadą stosowania ujemnego sprzężenia zwrotnego w układach

elektronicznych jest:

?????

82.Pole wzmocnienia jest to:

Iloczyn modułu wzmocnienia dla częstotliwości średnich i górnej częstotliwości granicznej

nazywamy polem wzmocnienia

83.Iloczyn modułu wzmocnienia dla częstotliwości średnich i górnej częstotliwości granicznej

nazywamy polem wzmocnienia

Wejściowe napięcie niezrównoważenia – funkcja temperatury, czasu i napięcia zasilania:

84.Główne parametry wzmacniacza operacyjnego to:

????

85.W modelu idealnym wzmacniacza operacyjnego jego parametry mają

następujące wartości:

86.Parametr SR wzmacniacza operacyjnego określa:

Szybkość narastania napięcia wyjściowego SR (ang. slew rate)

87. Zjawisko masy pozornej związane jest z:

88.Wzmocnienie wzmacniacza przedstawionego na rys. xx dane jest

równaniem:

89.Wtórnik napięciowy można uzyskać przekształcając wzmacniacz

nieodwracający fazę napięcia poprzez:

???

90. Na rys. xx przedstawiono układ:

OGRANICZNIK NAPIĘCIA

OGRANICZNIK NAPIĘCIA

91.Na rys. xx przedstawiono charakterystykę komparatora:

Komparator z histereza(przerzutnik Schmitta) – komparator odwracajcy

Komparator z histereza(przerzutnik Schmitta) – komparator nieodwracający

Komparator (dyskryminator) okienkowy:

92.Na rys. xx przedstawiono schemat stabilizatora napięcia typu:

Dioda Zenera

Stabilizator kompensacyjny

Stabilizator kompensacyjny 1

Stabilizator kompensacyjny 2

93.Zasada działania stabilizatora przedstawionego na rys. xx polega na:

?

94. Stabilizatory typu LDO charakteryzują się:

95.Na rys. xx przedstawiono schemat przetwornicy dławikowej:

-Regulator Obniżający napięcie

-Regulator obniżający samowzbudny

-Regulator podwyższajacy

96.Współbieżny konwerter napięcia charakteryzuje się:

• W konwerterach współbieżnych:

• Energia zostaje „transformowana” (nie

jest magazynowana w polu magnetycznym

rdzenia)

• Prąd magnesowania jest mały

• Zamiast dławika stosuje się transformator

o mniejszych gabarytach

• W konwerterach współbieżnych

symetrycznych średni prąd magnesowania

jest zerowy

97.Na rys. xx przedstawiono układ generatora:

Mostek Wiena – ARW

98.Pętla PLL jest układem, który:

• Synchronizuje się do częstotliwości

podstawowej lub harmonicznych

• Moze utrzymywać częstotliwość przy

zanikach sygnału wejściowego (filtr

całkujący)

• Sygnał wejściowy moze być mocno

zaszumiony lub zakłócany (fazowo lub

amplitudowo)

• Z szumu wyławia jeden sygnał (ma

charakter filtru selektywnego)

99.Na rys. xx przedstawiono schemat pętli PLL pracującej jako

-detekcja amplitudy

-synteza częstotliwości