1.Kriorezystywność W metalach efekt oporu elektrycznego jest wynikiem rozpraszania elektronów należących do pasma przewodnictwa : 1. w wyniku drgań cieplnych jonów w węzłach kryształu, 2. na zaburzeniach sieci krystalicznej (defekty, zanieczyszczenia itp.). 1) Opór elektryczny zwykłych przewodników metalowych jest uwarunkowany rozproszeniem elektronów na drganiach cieplnych siatki krystalicznej. Drgania węzłów siatki są równoważne rozchodzeniu się w krysztale fal akustycznych, które można zastąpić zbiorem „cząstek-fononów”, poruszających się w krysztale z prędkością dźwięku. Opór elektryczny jest wynikiem rozpraszania elektronów na fononach. Jeżeli temperatura spada, to słabną drgania jonów sieci krystalicznej i rezystywność maleje. 2) Rezystywność wywołana defektami, nie zależy od temperatury i nazywa się rezystancją resztkową. 3.Teoria BCS NADPRZEWODNICTWO - W zwykłym metalu gdy elektron porusza się obok jonu w siatce, jest on przyciągany do niego. Po przejściu elektronu jon wraca szybko na swoją pozycję. Faktycznie dwa elektrony posuwają się naprzód zawsze skokami i poruszają się poprzez siatkę jonów jako tzw. para Coopera. Własności par Coopera: - mają energię mniejszą niż suma energii obu elektronów w stanie niezwiązanym, - mają pędy przeciwnie skierowane i antyrównoległe spiny, - sumaryczny pęd pary może być różny od zera, ale zachowuje stałą wartość, - niezdolna do oddawania energii małymi porcjami, stąd zderzenia z węzłami siatki nie powodują strat energii elektronów i metal ma opór równy zeru. Aby naruszyć więź elektronów, trzeba zmienić ich sumaryczny pęd (gdy wydatkuje się energię odpowiadającą średniej energii drgań cieplnych węzłów siatki przy temperaturze TK (przy T>TK stan nadprzewodnictwa ustępuje). 4. Parametry nadprzewodników. - temperatura krytyczna TK, - krytyczne pole magnetyczne HK, - krytyczna gęstoś prądu JK. 5.Nadprzewodniki I i II rodzaju: -nadprzewodniki I rodzaju „MIĘKKIE” (mają niskie param. krytyczne), -nadprzewodniki II rodzaju „TWARDE” (o wyższych wart. krytycznych). -nadprzewodniki wysokotemperaturowe (charakteryzują się wysokimi TK) W nadprzewodnikach I rodzaju prąd płynie jedynie w cienkiej warstwie (głębokość wnikania 10^-6cm) na powierzchni materiału. Na taką głębokość moze wniknąć pole magnetyczne o indukcji B<BK. Jezeli przekroczy wartość krytyczną, to wnika w cały materiał i nadprzewodnictwo zanika. W nadprzewodnikach II rodzaju pole wnika w materiał na głębokość zalezną od wartości pola magnetycznego. Wynika to z budowy nadprzewodników II rodzaju, które posiadają cienkie włókna nadprzewodzące otoczone materiałem nie mającym własności nadprzewodzącym. Dzięki temu pole moze wnikać głębiej i osiąga większe wartości. 6. Wymagania stawiane nadprzewodnikom 1. Wysoka temperatura krytyczna. 2. Duże pole krytyczne. 3. Duża gęstość prądu. 4. Łatwa i tania technologia. 7. Nadprzewodniki wysokotemperaturowe Wykazują własności nadprzewodzące powyzej 77K (temp. ciekłego azotu). Takie materiały są kruche, twarde i trudne w obróbce . Uzyskiwane są poprzez napylanie składników na podgrzane podłoze w atmosferze utleniającej. 8. Zależność rezystywności od temperatury

9. Zależności B=f(T) iJ=f(T) oraz pow. kryt. J-B-T. Powierzchnia krytyczna oddziela obszar nadprzewodnictwa od obszaru stanu normalnego. 10. Zachowanie nadprzewodników w polu mag. 11. Zjawisko Meissnera 12. Charakterystyka Bw=f(Bz) 13. Krytyczne pole B=f(T) Bk10 dochodzi do wnikania pola magnetycznego do nadprzewodnika i utworzenia stanu mieszanego, a powyżej pola Bk20 zachodzi zniszczenie stanu nadprzewodzącego.

1. Przewodnictwo samoistne i domieszkowe 1)SAMOISTNE- nieuwarunkowane występowaniem zakłóceń atomowych sieci krystalicznej, lecz powstające na skutek pobudzenia cieplnego lub pod wpływem pola elektr. 2)DOMIESZKOWE- TYPU N- Otrzymuje się dodając do czystego Ge lub Si domieszki pierwiastka z V gr. ukł. okres. w stosunku 1:106. Jako domieszki donorowe stosuje się: P, As, Sb, Bi. Nośnikami większościowymi są elektrony. TYPU P- Otrzymuje się dodając do czystego Ge lub Si domieszki pierwiastka z III gr. ukł okres. Jako domieszki akceptorowe stosuje się: B, Al, Ga, In. Nośnikami większościowymi są dziury. 2.Model pasmowy 1)SAMOISTNY 2) DOMIESZKOWY 3.Wpływ temp. na konduktywność półprz. 1)SAMOISTNYCH 2)DOMIESZKOWYCH 3.Konduktywność półprzew. j-gęstość prądu; n-koncentracja nosników ładunku; u-ruchliwość ładunku; E-pole elektr. ; y- kondukt. 4.Wpływ natężenia promieniowania i pola elektr.