Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna

Generacjia i rekombinacji nośników w warstwie zaporowej: A) nastepuje w obszarze warstwy zaporowej, istotne przy polaryzacji zaporowej, prowadzi do zwiększenia się składowych unoszenia nośników mniejszościowych. B) Część nośników wstrzykiwanych w stanie przewodzenia do warstwy zaporowej ulega rekombinacji. Szyb. rekombinacji > niż generacji. Stan polaryzacji w przewodzie – nośniki są wstrzykiwane przez warstwę zubożoną, koncentracje w warstwie różne od 0, przeważa proces rekombinacji nośników. Duże poziomy wstrzykiwnia nośników. – w sytuacji silnej polaryzacji w kierunku przewodzenia koncentracje nośników wstrzykiwanych poprzez warstwę zaporową stają się porównywalne z koncentracjami nośników większościowych, w obszarach określonych, w stanie równowagi prowadzi to do: A) Model warstwy zubożonej przestaje być słuszny, prąd płynący przez złącze jest proporcjonalny. B) Pojawie się pole elektryczne w obszarach traktowanych za obojętne – obecność skończ. rezystnacji. Suma tej rezystancji oraz rez. zew. styków, doprowadzeń, lutowań nazywamy - REZYSTANCJĄ SZEREGOWĄ. Przebicie złącza PN gwałtowny wzrost prądu przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym napięciem większym niż charakterystyczna wart. danego złącza, - napięciem przebicia. Przebicie zenera zachodzi w złączach silnie domieszkowanych, mała szerokośc złącza. Przebicie lawinowe – jonizacja atomów w sieci krystalicznej wskutek dostarczenia energii przez swobodny nośnik ładunku rozpędzony w silnym polu elektrycznym. Wpływ temp na char. prądowo napięciową złącza PN, rozróżniamy dla zakresu zaporowego, przebicia i przewodzenia. Konduktancja dynamiczna – obliczany pochodną z Shockleya dla złącza rzeczywistego (bez Rs): g_­d­ = (I + Is)/( NGUt) Rezystancja dynamiczna – odwrotność z konduktancji dynamicznej Pojemność złączowa - Związana z ładunkiem nieskompensowanych jonów domieszek istniejących po obu stronach złącza spolaryzowanego w kierunku zaporowym: C_­j = (ðQj) /(ðu) wartość tej poj. To zazwyczaj kilkanaście pF. Pojemnośc dyfuzyjna – zwiazana z wstrzykiwaniem nośników większościowych podczas polaryzacji w kierunku przew.. Nośniki nie rekombinują natychmiast, istnieją prze pewien czas zależny od czasu ich życia. Zmiana prądu lub napięcia w kier. Przewodzenia wymaga zmiany wart. zmagazynowanego ład. co prowadzi do pojawiania poj. dyfuzyjnej C_­d ­ = (I + I_­0­)/(2ŋU_­T­)*t t- czas życia nośników. Im większe wart. poj. Złącz. i dyfuzyjnej tym dłuższe czasy przełączania elementów, wolniejsza praca. Analiza wielkosygnałowa statyczna – schemat upraszcza się o pojemności dyfuzyjną i złączową. Analiza małosygnałowa – sygnał wymuszający doprowadzony do analizowanego elementu jest na tyle mały, że można zaniedbać nieliniowości char. danego elementu. Rodzaje diód: pojemnościowe, stabilizacyjne, uniwersalne, impulsowe, pojemnościowe, detektory i zrodła promieniowania, tunelowe, mikrofalowe, detekcyjne. Diody prostownicze - do prostowania prądu, zazwyczaj 50Hz, diody Si o dużych pow. złącza. Dwie grupy parametrów diód, charakterystyczne i dopuszczalne. Parametry charakterystyczne a) If - dop. Sredni prąd przewodzenia (znamionowy) b) Uf - napiecie przewodzenia przy określonym prądzie. Parametry dopuszczalne – Szczytowe U wsteczne pracy, niepowtarzalne szczytowe nap. Wsteczne, powtarzalny impulsowy Imax, niepowtarzalny szczytowy prąd przew., dopuszczalna moc, max temp złącza, rezystancja cieplna