Tranzystory podstawowym rodzajem tran. w technologi monolitycznej są tr. n-p-n. Róźnice między tra. monolitycznyma dyskretnym:

- istnieniewarstwy zagrzebanej - aby zmniejszała rezystancję szeregową kolektora

- ulokowanie w wyspie odizolow. od innych elemen.

-wyprowad. wszystkich kontaktów na górną powierz

W zasadzie działania

nalęży uwzględnić dodatk.

wpływ sprzężeń pasożyt.

tranzyst. monolitycz. z

podłożem. Uwzględnić

należy pasożyt. tranzyst.

p-n-p orz pojem Ccs między

C a podłożem. Tran pasoż. nie

występuje przy izolacji dielektr.

a objawia się przy izola. złączo.

Efekt tyrystorowy przy połącze.

tra. pasoż. z tra. właściwym.

Tworzenie tr. p-n-p o parametr. podobnych do n-p-n

wymaga zastoso. dodatkowej operacji. Dwa rodzaje

p-n-p: a) wertykalny (piono.)- inaczej pasożyt. w którym rolę E spełnia podłoże . Nie ma warstwy zagrzebanej i może pracować tylko przy WE.

b) tr. lateralny (poziomy) obszary C i E są tworzone

równocześnie z dyfuzją bazy tranzystora n-p-n.

Diody Wykorzystuje się ze złączy p-n istniejących w strukturze tranzysora. 5 możliwych konfiguracji:

a)

Duże napiecie przebicia 20-60V średni czas przełączania (50-70ns)

b) c)

Duże nap. przeb.20-60 Małe napiecie przebicia

większy czas przełącz. (6-7V)

d) e)

Duże nap. przeb.20-60 Małe napiecie przebicia

większy czas przełącz. (6-7V) większy czas przeł.

W a) i c) pozostawia się warstwe zagrzebaną która osłabia wzmocnienie prądowe pasożytnicz. tranzyst.

W innych układ. stosuje

się diody Schotkiego

charakter. się znikomo

małym czaasem

przełącz. i małym

spadkiem napięcia

przypracy w

kierunku przewodzenia.

( Struktura diody Schottkiego)

a

---