Dostęp do pamięci DRAM

Dostęp w trybie stronicowania

Dostęp do pamięci w trybie stronicowania jest sposobem na 
przyspieszenie współpracy z pamięcią DRAM. Wykorzystuje się tu 
dwa fakty: 

- Po pierwsze większość odczytów dokonywana jest spod 
kolejnych, położonych koło siebie adresów. Oznacza to, że starsza 
część adresu, adres wiersza, nie zmienia się, a zmienia się jedynie 
adres kolumny. Wyjątkiem są tu słowa położone kolejno na 
początku i końcu wiersza. 

- Drugim wykorzystywanym faktem jest to, że czas przesłania 
adresu wiersza stanowi około 50% czasu dostępu. Jeżeli przy 
odczytach kolejnych słów nie będziemy zmieniać adresu wiersza, 
a jedynie adres kolumny, to czas dostępu do pamięci ulegnie 
skróceniu.

Realizacja efektywnego trybu ze stronicowaniem wymaga od 
procesora możliwości adresowania potokowego, czyli możliwości 
podania adresu następnego słowa jeszcze w czasie realizacji 
dostępu do słowa poprzedniego.

Dostęp w trybie seryjnym 
(Burst)

Dostęp w trybie seryjnym (ang. burst) stosowany jest przy 
współpracy pamięci głównej z pamięcią cache. Pamięć ta odczytuje 
bądź zapisuje informacje liniami, których długość zależy od 
rozwiązania pamięci cache i przykładowo dla systemów z 
procesorem 80486 wynosi 16 bajtów. Ponieważ procesor ten ma 
magistrale danych 32-bitową (4 bajty), do wypełnienia linii 
potrzeba 4 dostępów do pamięci. Operacje te dotyczą jednak 
kolejnych, leżących obok siebie słów. Oznacza to, że adres wiersza 
nie będzie się zmieniał, zaś adres kolumny przy każdym kolejnym 
dostępie będzie większy o jeden. Jeżeli wewnątrz pamięci 
umieścimy układ, który będzie zwiększał wartość kolumny o 1 po 
każdym podaniu zbocza aktywnego sygnału CAS#, to taka pamięć 
może pracować w trybie Burst.

Pamięć SDRAM i DDRAM

Modyfikacja pamięci SDRAM polega na 

zsynchronizowaniu operacji pamięci z zewnętrznym 
zegarem. Zmiana ta dotyczy interfejsu pomiędzy 
pamięcią a systemem. Synchronizacja operacji 
pamięci z zegarem procesora pozwala osiągnąć 
optymalną szybkość współpracy obu układów.

Pamięci DDRAM pozwalają dwukrotnie zwiększyć 

szybkość przesyłania danych magistrali pamięci bez 
zmiany częstotliwości zegara taktującego tę 
magistralę. Wzrost tej szybkości uzyskano poprzez 
taktowanie transmisji zarówno narastającym jak i 
opadającym zboczem przebiegu zegarowego.

Przeplot pamięci

Rozwiązanie to bazuje na fakcie, że większość odczytów 

z pamięci dokonywana jest z kolejnych, położonych 
obok siebie słów. W przypadku odczytów 
następujących jeden po drugim musimy zapewnić 
czas na doładowanie pojemności pamiętających. 
Można jednak sąsiadujące słowa rozmieścić na 
przemian w dwóch różnych  bankach (układach 
scalonych) pamięci. Wówczas przy odczycie kolejnych 
słów, po odczytaniu słowa z pierwszego banku 
możemy bez oczekiwania dokonać odczytu z 
drugiego banku, gdyż jest to odczyt z innego układu 
scalonego. W tym czasie w banku pierwszym zostaną 
doładowane pojemności pamiętające komórek 
odczytanego wiersza.